本发明揭示一种装置，其包含阵列，所述阵列包含高度上延伸的晶体管的行及列。存取线使沿所述行中的个别者的所述高度上延伸的晶体管中的多者互连。所述晶体管个别地包含上源极/漏极区域、下源极/漏极区域及高度上延伸在所述上源极/漏极区域与下源极/漏极区域之间的沟道区域。所述沟道区域包含氧化物半导体。晶体管栅极可操作地横向上接近所述沟道区域且包含所述存取线中的个别者的一部分。行内绝缘材料纵向上介于所述高度上延伸的晶体管中的行内紧邻者之间。行间绝缘材料横向上介于所述高度上延伸的晶体管的所述行中的紧邻者之间。所述行内绝缘材料及所述行间绝缘材料中的至少一者包含空隙空间。本发明揭示包括方法实施例的其它实施例。