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公开(公告)号：CN112956030A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980071209.8
申请日：2019-10-04
申请人： 美光科技公司
发明人： K·M·考尔道 , K·D·普拉尔 , 刘海涛 , D·V·N·拉马斯瓦米
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 本发明揭示一种包含阈值电压控制栅极的晶体管。所述晶体管还包含：有源控制栅极，其邻近沟道区域的相对第一侧；所述阈值电压控制栅极，其邻近所述沟道区域的相对第二侧；及电介质区域，其介于所述阈值电压控制栅极与所述沟道区域之间且介于所述有源控制栅极与所述沟道区域之间。还揭示一种包含包括所述晶体管的存储器单元的半导体装置，同样地揭示包含所述存储器单元的系统、形成所述半导体装置的方法及操作半导体装置的方法。
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公开(公告)号：CN112913027B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201980070109.3
申请日：2019-10-03
申请人： 美光科技公司
发明人： S·E·西利士 , K·D·普拉尔 , D·V·N·拉马斯瓦米 , R·甘地
IPC分类号： H10B51/40 , H10B53/40 , H01L27/082 , H01L27/06
摘要： 本发明揭示一种装置，其包含阵列，所述阵列包含高度上延伸的晶体管的行及列。存取线使沿所述行中的个别者的所述高度上延伸的晶体管中的多者互连。所述晶体管个别地包含上源极/漏极区域、下源极/漏极区域及高度上延伸在所述上源极/漏极区域与下源极/漏极区域之间的沟道区域。所述沟道区域包含氧化物半导体。晶体管栅极可操作地横向上接近所述沟道区域且包含所述存取线中的个别者的一部分。行内绝缘材料纵向上介于所述高度上延伸的晶体管中的行内紧邻者之间。行间绝缘材料横向上介于所述高度上延伸的晶体管的所述行中的紧邻者之间。所述行内绝缘材料及所述行间绝缘材料中的至少一者包含空隙空间。本发明揭示包括方法实施例的其它实施例。
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公开(公告)号：CN114342065A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080059988.2
申请日：2020-08-12
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
摘要： 一种形成电容器阵列的方法包括在衬底上方形成竖直堆叠。所述堆叠包括水平伸长的导电结构和在所述导电结构正上方的绝缘体材料。在所述绝缘体材料中形成通向所述导电结构的水平间隔开的开口。在所述开口中的个别者中形成向上开放的容器形底部电容器电极。所述底部电容器电极直接抵靠着所述导电结构的导电材料。所述导电结构将所述底部电容器电极直接电耦合在一起。在所述开口中所述底部电容器电极横向内侧形成电容器绝缘体。在所述开口中的个别者中所述电容器绝缘体横向内侧形成顶部电容器电极。所述顶部电容器电极不直接电耦合在一起。公开了与方法无关的结构。
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公开(公告)号：CN109643714A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052714.9
申请日：2017-08-21
申请人： 美光科技公司
发明人： K·J·莱恩 , K·D·普拉尔 , D·V·N·拉马斯瓦米 , R·奎因
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 本发明描述用于混合式存储器装置的方法、系统及装置。所述混合式存储器装置可包含单个衬底或裸片上的易失性及非易失性存储器单元。所述非易失性存储器单元可具有铁电电容器，且所述易失性存储器单元的相应逻辑存储组件可具有顺电或线性电介质电容器。在一些实例中，所述易失性存储器单元可用作所述非易失性存储器单元的高速缓冲存储器。或者，所述非易失性存储器单元可用作所述易失性存储器单元的备份。通过将两种类型的单元放置于单个裸片上，而非放置于分离裸片上，各种性能度量可改进，包含与电力消耗及操作速度有关的那些度量。
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公开(公告)号：CN112447754A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010460066.4
申请日：2020-05-27
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11521 , H01L27/11526
摘要： 本申请案涉及集成存储器。一些实施例包含具有存储器单元的组合件，所述存储器单元具有作用区，所述作用区包含一对源极/漏极区之间的主体区。电荷存储材料邻近于所述主体区。导电栅极邻近于所述电荷存储材料。空穴再充电布置经配置以在空穴从所述主体区到所述电荷存储材料的注入期间补充所述主体区内的空穴。所述空穴再充电布置包含异质结构作用区，所述异质结构作用区包括具有与所述主体区不同的组合物的至少一个源极/漏极区，及/或包含将所述主体区与空穴储存区耦合的延伸部。字线与所述导电栅极耦合。第一比较数字线与所述源极/漏极区中的一者耦合，且第二比较数字线与所述源极/漏极区中的另一者耦合。
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公开(公告)号：CN109643714B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201780052714.9
申请日：2017-08-21
申请人： 美光科技公司
发明人： K·J·莱恩 , K·D·普拉尔 , D·V·N·拉马斯瓦米 , R·奎因
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本申请案涉及一种混合式存储器装置。本发明描述用于混合式存储器装置的方法、系统及装置。所述混合式存储器装置可包含单个衬底或裸片上的易失性及非易失性存储器单元。所述非易失性存储器单元可具有铁电电容器，且所述易失性存储器单元的相应逻辑存储组件可具有顺电或线性电介质电容器。在一些实例中，所述易失性存储器单元可用作所述非易失性存储器单元的高速缓冲存储器。或者，所述非易失性存储器单元可用作所述易失性存储器单元的备份。通过将两种类型的单元放置于单个裸片上，而非放置于分离裸片上，各种性能度量可改进，包含与电力消耗及操作速度有关的那些度量。
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公开(公告)号：CN112913027A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980070109.3
申请日：2019-10-03
申请人： 美光科技公司
发明人： S·E·西利士 , K·D·普拉尔 , D·V·N·拉马斯瓦米 , R·甘地
IPC分类号： H01L27/24 , H01L27/082 , H01L27/06
摘要： 本发明揭示一种装置，其包含阵列，所述阵列包含高度上延伸的晶体管的行及列。存取线使沿所述行中的个别者的所述高度上延伸的晶体管中的多者互连。所述晶体管个别地包含上源极/漏极区域、下源极/漏极区域及高度上延伸在所述上源极/漏极区域与下源极/漏极区域之间的沟道区域。所述沟道区域包含氧化物半导体。晶体管栅极可操作地横向上接近所述沟道区域且包含所述存取线中的个别者的一部分。行内绝缘材料纵向上介于所述高度上延伸的晶体管中的行内紧邻者之间。行间绝缘材料横向上介于所述高度上延伸的晶体管的所述行中的紧邻者之间。所述行内绝缘材料及所述行间绝缘材料中的至少一者包含空隙空间。本发明揭示包括方法实施例的其它实施例。
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