本发明公开了一种适用于激光掺杂技术的扩散方法，其特征在于，在降温氧化过程中控制气氛为纯O2气氛，使扩散层表面生长的二氧化硅与表面掺杂的磷源反应生成40～50nm厚的磷硅玻璃，所述降温氧化之后还进行后氧化步骤，且在后氧化过程中控制气氛为纯O2气氛。一方面降低表面活性掺杂浓度降低少子复合，进而提升Voc和Isc，另一方面，降低重掺区方阻，进而改善/金属接触，从而在进一步提升Voc和Isc增益的基础上，降低电池的Rs和FF损失，最大化提升电池的Eff。