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公开(公告)号:CN108630763B
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN201810603167.5
申请日:2018-06-12
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要: 本发明实施例公开了一种光电转换装置及其制备方法,该光电转换装置包括P型半导体衬底,以及位于P型半导体衬底上依次设置的介质膜层、高掺杂半导体层和位于高掺杂半导体层上的第一金属电极,其中,介质膜层的禁带宽度比P型半导体衬底的禁带宽度至少大2.5eV,且介质膜层与P型半导体衬底的导带失配大于0.1eV。本发明实施例提供的一种光电转换装置及其制备方法,通过将P型半导体衬底经介质膜层进行钝化,降低其开路电压损失,再通过在介质膜层上设置高掺杂半导体层,减少载流子的传输路径,以减少电阻损失,从而获得高效的光电转换装置。
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公开(公告)号:CN113686261A
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN202010403331.5
申请日:2020-05-13
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
摘要: 本发明实施例公开了一种硅片绒面的测试方法、装置、电子设备及可读存储介质,该测试方法包括:获取制绒后硅片的制绒表面显微图像,并对制绒表面显微图像进行图像处理以得到制绒表面灰度图像;从制绒表面灰度图像中提取出单个绒面的绒面形状参数;统计处理绒面的绒面形状参数,确定得到制绒后硅片的绒面质量参数。本发明实施例,能够准确统计硅片绒面信息,量化统计硅片绒面情况,以此可以有效分析硅片绒面质量。
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公开(公告)号:CN113555463A
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN202010326472.1
申请日:2020-04-23
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0216 , C30B33/00 , C30B29/06 , C23C16/50 , C23C16/34 , C30B33/10
摘要: 本申请提供了一种太阳能电池的制备方法与太阳能电池,所述制备方法包括在硅基底的表面制备保护膜,所述硅基底具有相互间隔的至少两个第一区域、位于相邻所述第一区域之间的第二区域;再去除所述第一区域表面的保护膜,并保留所述第二区域表面的保护膜,然后制结使得各所述第一区域形成相互独立的PN结,且所述第二区域在所述保护膜遮蔽下未形成PN结。本申请通过在所述硅基底的第二区域设置保护膜,以在相互间隔的第一区域制得独立的PN结,所述太阳能电池在沿第二区域进行后续分割时,降低相应的子电池片边缘复合,提高填充因子及转换效率。
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公开(公告)号:CN113130700B
公开(公告)日:2022-07-15
申请号:CN202010033393.1
申请日:2020-01-13
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/18
摘要: 本发明实施例提供的一种太阳能电池的电注入方法及装置、电注入设备,通过获取欲进行电注入的太阳能电池片的堆叠结构中太阳能电池片的数量;根据太阳能电池片的数量,控制进行电注入的电源向太阳能电池片的堆叠结构提供第一预设电流,且在第一预设电流下太阳能电池片上的电压小于该太阳能电池片的导通电压;在太阳能电池片的堆叠结构的温度达到第一预设温度时,控制电源向太阳能电池片的堆叠结构提供第二预设电流,以使太阳能电池片的堆叠结构在第二预设电流下进行电注入,且该第二预设电流大于第一预设电流。本发明实施例能够提高太阳能电池片的电注入效率和产量。
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公开(公告)号:CN113130700A
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN202010033393.1
申请日:2020-01-13
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/18
摘要: 本发明实施例提供的一种太阳能电池的电注入方法及装置、电注入设备,通过获取欲进行电注入的太阳能电池片的堆叠结构中太阳能电池片的数量;根据太阳能电池片的数量,控制进行电注入的电源向太阳能电池片的堆叠结构提供第一预设电流,且在第一预设电流下太阳能电池片上的电压小于该太阳能电池片的导通电压;在太阳能电池片的堆叠结构的温度达到第一预设温度时,控制电源向太阳能电池片的堆叠结构提供第二预设电流,以使太阳能电池片的堆叠结构在第二预设电流下进行电注入,且该第二预设电流大于第一预设电流。本发明实施例能够提高太阳能电池片的电注入效率和产量。
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公开(公告)号:CN112928180A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN201911236922.1
申请日:2019-12-05
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L21/223
摘要: 本发明公开了一种适用于激光掺杂技术的扩散方法,其特征在于,在降温氧化过程中控制气氛为纯O2气氛,使扩散层表面生长的二氧化硅与表面掺杂的磷源反应生成40~50nm厚的磷硅玻璃,所述降温氧化之后还进行后氧化步骤,且在后氧化过程中控制气氛为纯O2气氛。一方面降低表面活性掺杂浓度降低少子复合,进而提升Voc和Isc,另一方面,降低重掺区方阻,进而改善/金属接触,从而在进一步提升Voc和Isc增益的基础上,降低电池的Rs和FF损失,最大化提升电池的Eff。
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公开(公告)号:CN114613874A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202011336708.6
申请日:2020-11-25
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236
摘要: 本发明公开了一种组成叠瓦电池的电池片的制造方法,包括:对硅片进行制绒以在硅基底的表面形成绒面;扩散处理,以在绒面外形成扩散层;用第一预设波长的激光对硅片的副栅区域进行局部掺杂;用第二预设波长的激光对硅片进行划片,以在硅片的扩散层所在侧的表面形成分隔槽;刻蚀清洗;氧化处理,以在硅片的表面以及分隔槽表面形成氧化层。这样,在完成丝网印刷后,无需再进行激光划片,整片电池可以直接进行机械掰片,电池会从第二波长的激光划片得到的分隔槽裂开,被掰开后得到的多个小片电池的空间电荷区由氧化硅钝化,有效降低了边缘复合。由于在划片后还进行了氧化工序,因此分隔槽的内表面被钝化,电池小片的电学性能得到了提升。
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公开(公告)号:CN109728109B
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201811641720.0
申请日:2018-12-29
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/18
摘要: 本发明提供了一种晶体硅双面电池及该晶体硅双面电池的热处理方法,所述晶体硅双面电池包括硅基底与背面金属化层,所述硅基底的电阻率设置为0.3~0.8Ω·cm,所述背面金属化层的遮光率不超过23%。上述晶体硅双面电池的热处理方法主要包括将待处理的晶体硅双面电池加热至第一阈值温度,再通入正向电流,继续升温;保温处理,保温处理过程包括至少两个子阶段且所述保温处理过程保持通入正向电流;将完成保温处理的晶体硅双面电池冷却至第二阈值温度,停止通入电流。所述晶体硅双面电池减小背面金属化层的遮光面积,提升双面率的同时,不会造成正面转换效率降低;再通过前述热处理方法还能有效降低衰减风险。
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公开(公告)号:CN112549331A
公开(公告)日:2021-03-26
申请号:CN201910851986.6
申请日:2019-09-10
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: B28D5/00
摘要: 本申请提供了一种方硅锭及其制备方法、硅片及其制备方法,方硅锭的制备方法,包括:开槽,于若干开槽区形成沿长度方向贯穿晶硅锭的预制槽;切方,于平行设置的若干第一切割线处沿长度方向切割晶硅锭,于平行设置的若干第二切割线处沿长度方向切割所述晶硅锭,所述第一切割线与所述第二切割线相垂直;其中,若干第一切割线包括相邻的第一条第一切割线与第二条第一切割线,若干开槽区包括位于所述第一条第一切割线与所述第二条第一切割线之间的若干第一开槽区,若干第一开槽区沿所述第一条第一切割线间隔设置,且所述第一开槽区的部分边缘与所述第一条第一切割线重合。
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公开(公告)号:CN109509797B
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN201811649343.5
申请日:2018-12-30
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/042
摘要: 本发明揭示了一种条形电池片及其制备方法、太阳能电池片及太阳能组件,其中:条形电池片定义有两条长边、两条短边、受光面和相对的背面。所述条形电池片的受光面和背面均设置有电极结构,受光面和背面的电极结构的电极性相反。所述受光面的电极结构包括汇聚电流的一条主栅线或一列间隔分布的电极盘,所述主栅线或者一列间隔分布的电极盘靠近且平行于所述电池片的一条长边。在所述条形电池片的另一长边边缘,条形电池片的背面未设置与所述受光面的主栅线或间隔分布的电极盘对应的主栅或电极盘,从而大大降低了银浆料的用量,使得成本较低。
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