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公开(公告)号:CN112928180B
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN201911236922.1
申请日:2019-12-05
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L21/223
摘要: 本发明公开了一种适用于激光掺杂技术的扩散方法,其特征在于,在降温氧化过程中控制气氛为纯O2气氛,使扩散层表面生长的二氧化硅与表面掺杂的磷源反应生成40~50nm厚的磷硅玻璃,所述降温氧化之后还进行后氧化步骤,且在后氧化过程中控制气氛为纯O2气氛。一方面降低表面活性掺杂浓度降低少子复合,进而提升Voc和Isc,另一方面,降低重掺区方阻,进而改善/金属接触,从而在进一步提升Voc和Isc增益的基础上,降低电池的Rs和FF损失,最大化提升电池的Eff。
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公开(公告)号:CN112928180A
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN201911236922.1
申请日:2019-12-05
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L21/223
摘要: 本发明公开了一种适用于激光掺杂技术的扩散方法,其特征在于,在降温氧化过程中控制气氛为纯O2气氛,使扩散层表面生长的二氧化硅与表面掺杂的磷源反应生成40~50nm厚的磷硅玻璃,所述降温氧化之后还进行后氧化步骤,且在后氧化过程中控制气氛为纯O2气氛。一方面降低表面活性掺杂浓度降低少子复合,进而提升Voc和Isc,另一方面,降低重掺区方阻,进而改善/金属接触,从而在进一步提升Voc和Isc增益的基础上,降低电池的Rs和FF损失,最大化提升电池的Eff。
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公开(公告)号:CN214176045U
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202022972423.3
申请日:2020-12-11
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/0216
摘要: 本实用新型提供一种电池膜层结构以及包含其的电池,所述电池膜层结构包括硅片以及位于硅片背面的氧化铝层、以及位于氧化铝层表面的交替重复设置的高折射率膜层和低折射率膜层,所述交替重复设置数大于等于2。本实用新型的电池膜层结构可以增加透射光的反射,提高电池的双面率。
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公开(公告)号:CN213660422U
公开(公告)日:2021-07-09
申请号:CN202022733222.8
申请日:2020-11-23
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/0216
摘要: 本实用新型公开了一种PERC电池的背面镀膜结构以及光伏组件,PERC电池的背面镀膜结构包括:硅基底、氧化铝层、层叠结构、氮化硅层,氧化铝层镀设于硅基底的背面;层叠结构设于氧化铝层外,层叠结构包括多个层叠设置的膜,且多层膜中的一部分膜为二氧化硅膜,另一部分膜为氮氧化硅膜,其中镀设于氧化铝层上的为二氧化硅膜;氮化硅层设于层叠结构的外侧。由此,由于氧化铝层固定电荷为负电荷,外侧生长的二氧化硅层的固定电荷为中性,不会中和氧化铝层的负的固定电荷,不影响场钝化效果;利用气相沉积法生长的氮氧化硅和二氧化硅中存在大量的氢,可以扩散到硅片表面和硅片体内,有助于降低硅片背表面的表面缺陷态密度,能提升钝化效果。
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公开(公告)号:CN114765232A
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN202011612814.2
申请日:2020-12-30
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0236
摘要: 本发明提供一种电池片及其制备方法、具有电池片的光伏组件及制备方法,太阳能电池片的制备方法包括如下步骤:采用激光沿太阳能电池片的划线区进行激光扫描,使太阳电池片发生断裂;沿所述激光的扫描线向所述太阳能电池片喷钝化气体,以在太阳能电池片的断裂面上形成钝化层。一方面采用激光沿所述划线区进行激光扫描,给所述划线区局部加热,激光离开后使其可在热冷应力下原位分裂为若干子电池片;无需掰片,大大减小了对子电池片的损伤,且提高了裂片效率。另一方面,沿所述激光的扫描线向所述太阳能电池片喷钝化气体,在裂片的同时对所述子电池片的边缘进行钝化,在太阳能电池片的断裂面上形成钝化层,减少子电池片的边缘复合,提高其电性能。
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公开(公告)号:CN210926049U
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN201922216940.5
申请日:2019-12-11
申请人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
发明人: 张美荣
IPC分类号: H01L31/18 , H01L21/673 , H01L21/677
摘要: 本实用新型公开了一种硅片导片装置,硅片导向装置包括:底座,第一推拉机构、缓冲花篮、目标花篮和第二推拉机构,第一推拉机构、缓冲花篮、目标花篮和第二推拉机构沿导片方向依次设置于底座,第一推拉机构和第二推拉机构在底座上沿导片方向可移动;其中,缓冲花篮构造有沿导片方向延伸的缓冲插槽,目标花篮构造有沿导片方向间隔设置第一目标插槽和第二目标插槽,第二推拉机构具有延伸杆,第二推拉机构向目标花篮移动至预定位置时,延伸杆搭接于第一目标插槽和第二目标插槽。根据本实用新型实施例的硅片导片装置能够对硅片实现反向导片,且具有避免污染,提高工作的时效性等优点。
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