- 专利标题： 一种二氧化锡/铜/二氧化锡多层透明导电薄膜及其制备方法与应用
-
申请号： CN202110120008.1申请日： 2021-01-28
-
公开(公告)号： CN112941476B公开(公告)日： 2022-09-16
- 发明人: 宋安刚 , 霍方方 , 胡俊华 , 朱地 , 赵保峰 , 关海滨 , 徐丹 , 王树元
- 申请人： 山东省科学院能源研究所
- 申请人地址： 山东省济南市历下区科院路19号
- 专利权人： 山东省科学院能源研究所
- 当前专利权人： 山东产研新能源科技有限公司
- 当前专利权人地址： 250100 山东省济南市中国（山东）自由贸易试验区济南片区港西路山东产业技术研究院高科技创新园8号楼5楼510B
- 代理机构： 济南圣达知识产权代理有限公司
- 代理商 张晓鹏
- 主分类号： C23C14/35
- IPC分类号： C23C14/35 ; C23C14/54 ; C23C14/02 ; C23C14/08 ; C23C14/18
摘要：
本发明公开了一种二氧化锡/铜/二氧化锡多层透明导电薄膜及其制备方法与应用，以氩气为等离子气源，以氧气为反应气体，在衬底上依次溅射第一二氧化锡膜、铜膜和第二二氧化锡膜，其中，二氧化锡膜采用远源等离子体溅射技术反应溅射沉积，铜膜采用直流溅射法溅射沉积。
公开/授权文献
- CN112941476A 一种二氧化锡/铜/二氧化锡多层透明导电薄膜及其制备方法与应用 公开/授权日：2021-06-11