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公开(公告)号：CN112941479B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110130282.7
申请日：2021-01-29
申请人： 山东省科学院能源研究所
摘要： 本公开涉及电子材料技术领域，具体提供一种二氧化锡/银/二氧化锡透明导电膜调整银层厚度的方法及应用。所述银层为纯银层，银层厚度变化对应不同的光电性能。其制备方法包括如下步骤：以氩气为等离子体气源，以氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术首先在衬底上反应溅射沉积一层二氧化锡薄膜，然后在二氧化锡薄膜上直流溅射一层纯银薄膜，在溅射过程中，控制溅射时间来控制纯银薄膜厚度，最后在此基础上再反应溅射一层二氧化锡薄膜，既得。针对现有技术中在实际生产中难以控制银膜厚度，难以得到想要的光电性能的问题。
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公开(公告)号：CN112941479A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110130282.7
申请日：2021-01-29
申请人： 山东省科学院能源研究所
摘要： 本公开涉及电子材料技术领域，具体提供一种二氧化锡/银/二氧化锡透明导电膜调整银层厚度的方法及应用。所述银层为纯银层，银层厚度变化对应不同的光电性能。其制备方法包括如下步骤：以氩气为等离子体气源，以氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术首先在衬底上反应溅射沉积一层二氧化锡薄膜，然后在二氧化锡薄膜上直流溅射一层纯银薄膜，在溅射过程中，控制溅射时间来控制纯银薄膜厚度，最后在此基础上再反应溅射一层二氧化锡薄膜，既得。针对现有技术中在实际生产中难以控制银膜厚度，难以得到想要的光电性能的问题。
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公开(公告)号：CN112951930A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110128167.6
申请日：2021-01-29
申请人： 山东省科学院能源研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0445 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/34 , C23C14/00
摘要： 本公开涉及电子材料技术领域，具体提供一种二氧化钛/银/二氧化钛透明导电膜及其制备方法与应用。所述银层为纯银层，银层厚度变化对应不同的光电性能。其制备方法包括如下步骤：以氩气为等离子体气源，以氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术首先在衬底上反应溅射沉积一层二氧化钛薄膜，然后在二氧化钛薄膜上直流溅射一层纯银薄膜，在溅射过程中，控制氧气流量和溅射功率，最后在此基础上再反应溅射一层二氧化钛薄膜，既得。解决现有技术中透明导电膜往往掺杂F使得制备过程操作不易，成本较高，具有毒性，且对废弃物的处理也有一定的要求的问题。
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公开(公告)号：CN112951930B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110128167.6
申请日：2021-01-29
申请人： 山东省科学院能源研究所
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0445 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/34 , C23C14/00
摘要： 本公开涉及电子材料技术领域，具体提供一种二氧化钛/银/二氧化钛透明导电膜及其制备方法与应用。所述银层为纯银层，银层厚度变化对应不同的光电性能。其制备方法包括如下步骤：以氩气为等离子体气源，以氧气为反应气体，采用远源等离子体溅射技术首先在衬底上反应溅射沉积一层二氧化钛薄膜，然后在二氧化钛薄膜上直流溅射一层纯银薄膜，在溅射过程中，控制氧气流量和溅射功率，最后在此基础上再反应溅射一层二氧化钛薄膜，既得。解决现有技术中透明导电膜往往掺杂F使得制备过程操作不易，成本较高，具有毒性，且对废弃物的处理也有一定的要求的问题。
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公开(公告)号：CN112941476B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110120008.1
申请日：2021-01-28
申请人： 山东省科学院能源研究所
摘要： 本发明公开了一种二氧化锡/铜/二氧化锡多层透明导电薄膜及其制备方法与应用，以氩气为等离子气源，以氧气为反应气体，在衬底上依次溅射第一二氧化锡膜、铜膜和第二二氧化锡膜，其中，二氧化锡膜采用远源等离子体溅射技术反应溅射沉积，铜膜采用直流溅射法溅射沉积。
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公开(公告)号：CN112941464B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110119993.4
申请日：2021-01-28
申请人： 山东省科学院能源研究所
摘要： 本发明公开了一种多层透明导电薄膜及其制备方法与应用，以氩气为等离子气源，以氧气为反应气体，在衬底上依次溅射第一二氧化钛膜、铜膜和第二二氧化钛膜，其中，二氧化钛膜采用远源等离子体溅射技术反应溅射沉积，铜膜采用直流溅射法溅射沉积。是采用远源等离子体溅射技术在衬底上直流溅射沉积薄膜，通过控制反应溅射过程中的氧气流量和溅射功率，在相对较低的溅射功率和氧流量条件下，通过控制中间层铜薄膜的厚度来调控透明导电膜的光电性能。
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公开(公告)号：CN112941476A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110120008.1
申请日：2021-01-28
申请人： 山东省科学院能源研究所
摘要： 本发明公开了一种二氧化锡/铜/二氧化锡多层透明导电薄膜及其制备方法与应用，以氩气为等离子气源，以氧气为反应气体，在衬底上依次溅射第一二氧化锡膜、铜膜和第二二氧化锡膜，其中，二氧化锡膜采用远源等离子体溅射技术反应溅射沉积，铜膜采用直流溅射法溅射沉积。
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公开(公告)号：CN112941464A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110119993.4
申请日：2021-01-28
申请人： 山东省科学院能源研究所
摘要： 本发明公开了一种多层透明导电薄膜及其制备方法与应用，以氩气为等离子气源，以氧气为反应气体，在衬底上依次溅射第一二氧化钛膜、铜膜和第二二氧化钛膜，其中，二氧化钛膜采用远源等离子体溅射技术反应溅射沉积，铜膜采用直流溅射法溅射沉积。是采用远源等离子体溅射技术在衬底上直流溅射沉积薄膜，通过控制反应溅射过程中的氧气流量和溅射功率，在相对较低的溅射功率和氧流量条件下，通过控制中间层铜薄膜的厚度来调控透明导电膜的光电性能。
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