本发明公开一种制备黑硅的方法及装置，密闭气体腔上方设激光通光口用于激光射入，设真空抽气口用于抽真空，设气体输入口用于通入气体，设抽尘输出口用于将含有粉尘的气体抽出，气体输入口、抽尘输出口及外循环管道构成循环通道，并于外循环管道上设置粉尘过滤装置，对抽尘输出口的气体进行粉尘过滤；将硅片置于密闭气体腔内，抽真空并通入气体后，开启循环，启动激光器，使激光聚焦在硅片表面或上方，激光与硅片和气体产生相互作用，在硅片表面形成尖锥状微结构及S原子掺杂；本发明通过调节光斑横纵向搭接率、光斑直径及激光重复频率来调整硅片的蚀刻效率，使得既满足硅材料熔融对光斑能量密度的要求，又满足黑硅产业化对刻蚀效率的要求。