发明公开
- 专利标题: 一种基于刻蚀压电薄膜的高机电耦合系数声表面波器件
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申请号: CN202110371349.6申请日: 2021-04-07
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公开(公告)号: CN113098419A公开(公告)日: 2021-07-09
- 发明人: 潘峰 , 徐惠平 , 曾飞 , 傅肃磊 , 沈君尧 , 苏荣宣
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
- 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 任晓云
- 主分类号: H03H3/02
- IPC分类号: H03H3/02 ; H03H9/64
摘要:
本发明公开了一种基于刻蚀压电薄膜的高机电耦合系数声表面波器件,属于电子信息材料领域。所述声表面波器件从下至上依次包括高声速衬底,部分刻蚀压电薄膜和顶电极。所述顶电极为叉指电极,对叉指之间压电薄膜进行部分刻蚀。本发明的声表面波器件具有两种模态,分别为准瑞利波模态和准西沙瓦波模态,其中准瑞利波模态具有低频高机电耦合系数的特点,可以实现声表面波器件低频小型化的需要;准西沙瓦波模态具有高频,高机电耦合系数的特点,适合制备高频大带宽声表面波器件。本发明的声表面波器件为多层复合结构,容易制备和批量生产,对实际应用具有重要意义。