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公开(公告)号：CN113030244B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202110301696.1
申请日：2021-03-22
申请人： 国网江苏省电力有限公司无锡供电分公司 , 清华大学
摘要： 输电线塔架腐蚀缺陷漏磁检测信号反演成像方法及系统，通过对腐蚀缺陷处的漏磁检测信号水平分量矩阵进行显性处理、双阈值显性增强、边缘细化、轮廓闭合及收缩区域的漏磁三维合成信号值插值填充等操作，最终实现输电线塔架腐蚀缺陷漏磁检测信号反演成像；该反演成像系统包括漏磁信号检测模块、漏磁信号处理模块、漏磁信号反演成像模块。快速便捷地对输电线塔架腐蚀缺陷进行检测识别和反演成像，从而为用户提供清晰直观的缺陷信息，为输电线塔架的安全维护提供有效的指导依据。在腐蚀缺陷漏磁检测信号反演成像显示过程中，不需要进行闭环迭代，可以快速实现腐蚀缺陷的三维成像，具有计算操作简单、计算速度快、反演精度高等优点。
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公开(公告)号：CN115762956A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211390203.7
申请日：2022-11-08
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种基于反铁磁垂直结构的太赫兹波发射器件及其制备方法和发射方法。本发明太赫兹波发射器件包括依次层叠的衬底层、反铁磁层和垂直易磁化层；所述衬底层的材质与所述反铁磁层中的反铁磁晶格常数相匹配；所述反铁磁层的材质为锰金合金Mn2Au或者铜锰砷CuMnAs；所述垂直易磁化层的材质为钴铂多层膜或者钴钯多层膜。本发明太赫兹波发射器，利用垂直结构铁磁层在飞秒激光的激发下，其自旋流极化方向沿外面外磁场方向极化，该自旋流从铁磁层注入反铁磁层，通过反铁磁奈尔矢量使得自旋流极化方向发生偏转；由于反铁磁亚晶格具有局域空间反演对称性破缺，该电荷流在两个相邻的亚晶格上正好可以叠加而实现太赫兹波信号的发射。
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公开(公告)号：CN113051521B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110301695.7
申请日：2021-03-22
申请人： 国网江苏省电力有限公司无锡供电分公司 , 清华大学
IPC分类号： G06F17/15 , G06F16/215 , G06F16/2458 , G06N3/12 , G01N27/83 , H03H17/02
摘要： 地上钢结构件腐蚀缺陷漏磁检测信号修复方法及系统，通过对地上钢结构件漏磁检测信号进行修剪、直流滤波，并对异常数据位置的判断等操作处理，基于优选的sinc函数构建腐蚀缺陷漏磁检测信号修复计算模型，通过迭代更新修复参数，最终实现对地上钢结构件腐蚀缺陷漏磁检测信号的修复。该修复系统包括信号采集模块、信号修剪模块、直流滤波模块、信号区域识别模块、信号计算模块、信号修复模块。通过修复地上钢结构件腐蚀缺陷漏磁检测信号中的异常数据，为腐蚀缺陷漏磁检测信号的反演量化及地上钢结构件的安全评估等提供数据支撑，无需事先准确训练样本，操作简单、计算速度快、信号修复效果好。
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公开(公告)号：CN110357384A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910423151.0
申请日：2019-05-20
申请人： 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网江苏电力设计咨询有限公司 , 清华大学
IPC分类号： C02F11/122 , E21B21/00
摘要： 本发明提供一种可移动式泥浆制备循环处理系统，包括：移动式造浆模块；移动式泥浆循环模块，包括：移动式泥浆池装置、移动式泥浆处理装置；移动式渣浆模块，所述渣浆模块与所述移动式泥浆循环模块连接，用于接收所述移动式泥浆循环模块产生的废渣和泥饼，并将处理后的废水进行存储或排放；所述移动式造浆模块、移动式泥浆循环模块和移动式渣浆模块具有统一配置的控制平台。本发明的可移动式泥浆制备循环处理系统，将泥浆的制备、循环和处理系统采用模块化可移动式处理，机动性强，各步骤均在各模块中进行处理，对施工当地污染环境小、改善工作环境，泥浆可回收利用，废物分级处理，从而能够适应多种不同场地的施工要求。
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公开(公告)号：CN110113025A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910348847.1
申请日：2019-04-28
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种便于射频前端集成的温度补偿声表面波器件及其制备方法与应用。该器件由下至上依次包括压电基片、温度补偿薄膜、叉指换能器和压电薄膜。它制备方法，包括如下步骤：1)采用物理气相沉积或化学气相沉积，在压电基片上沉积温度补偿薄膜；2)利用光刻技术和电子束蒸镀方法，在温度补偿薄膜上制备叉指换能器叉指换能器；3)采用磁控溅射方法，在叉指换能器叉指换能器上生长压电薄膜，即得到声表面波器件。本发明器件应用于宽禁带半导体射频前端的集成和/或具有温度补偿功能的声表面波器件的制备中。本发明能够实现对器件温度补偿性能的调控，从而实现器件的温度稳定性；具有更大的带宽；制备工艺简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN109217842A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810832445.4
申请日：2018-07-26
申请人： 清华大学 , 无锡市好达电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种近零温度系数的声表面波滤波器及其制备方法。该声表面波滤波器，由下至上依次包括：石英基片、基片改性层、压电薄膜层和叉指换能器电极；构成所述压电薄膜层的材料为金属掺杂ZnO；所述叉指换能器电极由下至上依次包括金属打底层和金属主体层。该滤波器具有较高的温度稳定性，很容易得到零温度系数的声表面波滤波器；通过改性石英基片和ZnO薄膜，其基片和薄膜的压电常数大大的提高，因此制备得到的器件机电耦合系数高，器件性能优异；同时，在工艺方面，容易实现，易于推广。
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公开(公告)号：CN105483629B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410479805.9
申请日：2014-09-18
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法。该材料的分子式为Alx(AyB1‑y)1‑xNz；其中，x代表Al的摩尔分数，取值为0.85～0.95；y为0.45～0.8。本发明制备的氮化铝同时具有铁电、铁磁特性，且铁电和铁磁居里温度达到450摄氏度，通过电场可以调制磁性，也可通过磁场调控铁电性。
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公开(公告)号：CN104009155B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410264504.4
申请日：2014-06-13
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L43/14
摘要： 本发明涉及一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法，其包括以下步骤：采用磁控溅射方法在YIG基片上生长纳米厚度的Pt薄膜，采用紫外线光刻和氩离子刻蚀方法将Pt薄膜加工成“艹”字形霍尔结；在“艹”字形霍尔结的纵向外加正弦电流；在“艹”字形霍尔结横向即平行于霍尔结表面且垂直于所加正弦电流的方向外加偏置磁场；利用外加的正弦电流和偏置磁场共同调节YIG基片的磁化强度，并利用自旋霍尔磁电阻效应调节Pt薄膜的电阻，生成忆阻器。本发明直接将电荷量与磁通量用忆阻系数相联系，避免了阻变随机存储器不涉及磁效应的问题。本发明可以广泛应用于忆阻器的设计中。
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公开(公告)号：CN102360710B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110166520.6
申请日：2011-06-20
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法。该ZnO基稀磁薄膜，包括基片、位于基片上的稀磁薄膜和反铁磁薄膜；其中，构成稀磁薄膜的材料为Zn1-xTMxO，所述Zn1-xTMxO中，x为0.2％-10.0％，优选3％-5％，TM为过渡金属元素；构成反铁磁薄膜的材料选自过渡金属氧化物中的至少一种。本发明通过在ZnO基稀磁薄膜上沉积一薄层反铁磁薄膜或在反铁磁薄膜上沉积一层稀磁薄膜来提高ZnO基稀磁薄膜的室温铁磁性，利用室温铁磁性TM:ZnO薄膜和反铁磁薄膜的界面近邻效应，使双层膜结构的室温饱和平均原子磁矩(μB/Co)相对单层稀磁薄膜结构的平均原子磁矩明显增大。
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