发明公开
- 专利标题: 一种预测器件重离子单粒子效应截面曲线的方法
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申请号: CN202110381221.8申请日: 2021-04-08
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公开(公告)号: CN113109860A公开(公告)日: 2021-07-13
- 发明人: 罗尹虹 , 陈兆群 , 陈伟 , 张凤祁 , 王坦 , 丁李利 , 赵雯
- 申请人: 西北核技术研究所
- 申请人地址: 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 代理机构: 西安智邦专利商标代理有限公司
- 代理商 王少文
- 主分类号: G01T1/36
- IPC分类号: G01T1/36
摘要:
本发明公开了预测器件重离子单粒子效应截面曲线的方法,包括以下步骤:对器件开展质子或中子单粒子效应实验,获取质子或中子单粒子效应截面数据并威布尔拟合得到质子或中子单粒子效应截面曲线;构建芯片结构模型,蒙卡计算不同能量质子或中子与器件材料发生核反应在灵敏层内产生的次级粒子LET谱;估算两个重离子单粒子效应截面数据点并初步拟合一条重离子单粒子效应截面曲线;将该重离子单粒子效应截面曲线与次级粒子LET谱积分,得到器件的质子或中子单粒子效应截面;比对积分计算数据与实验数据,调整重离子单粒子效应截面曲线的拟合参数,重复积分直到计算数据与实验数据的偏差在一定范围内,即得所需重离子单粒子效应截面曲线。
公开/授权文献
- CN113109860B 一种预测器件重离子单粒子效应截面曲线的方法 公开/授权日:2023-12-15