发明授权
- 专利标题: 一种功率半导体芯片及其制备方法
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申请号: CN202010060417.2申请日: 2020-01-19
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公开(公告)号: CN113140456B公开(公告)日: 2024-09-06
- 发明人: 刘勇强 , 曾丹 , 江伟 , 敖利波 , 史波
- 申请人: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
- 申请人地址: 广东省珠海市前山金鸡西路;
- 专利权人: 珠海格力电器股份有限公司,珠海零边界集成电路有限公司
- 当前专利权人: 珠海格力电器股份有限公司,珠海零边界集成电路有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省珠海市前山金鸡西路;
- 代理机构: 北京华夏泰和知识产权代理有限公司
- 代理商 张丽颖; 李雪
- 主分类号: H01L21/3205
- IPC分类号: H01L21/3205 ; H01L21/321 ; H01L29/739
摘要:
涉及半导体技术领域,本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法,所述一种功率半导体芯片制备方法,包括:在半导体基材正面形成第一金属层,在所述第一金属层上形成金属连接层,回刻平坦化处理所述金属连接层,在所述金属连接层上形成第二金属层,对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理,本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术,本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象,同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异,进而提高半导体整体性能的可靠性。
公开/授权文献
- CN113140456A 一种功率半导体芯片及其制备方法 公开/授权日:2021-07-20