发明授权
- 专利标题: 一种开放式全金刚石散热结构的制备方法
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申请号: CN202110432577.X申请日: 2021-04-21
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公开(公告)号: CN113146158B公开(公告)日: 2021-12-24
- 发明人: 郑宇亭 , 李成明 , 李世谕 , 魏俊俊 , 刘金龙 , 陈良贤 , 安康 , 欧阳晓平
- 申请人: 北京科技大学 , 北京科技大学顺德研究生院
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号;
- 专利权人: 北京科技大学,北京科技大学顺德研究生院
- 当前专利权人: 北京科技大学,北京科技大学顺德研究生院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号;
- 代理机构: 北京市广友专利事务所有限责任公司
- 代理商 张仲波
- 优先权: 2021101081701 20210127 CN
- 主分类号: B23P15/00
- IPC分类号: B23P15/00 ; C23C16/01 ; C23C16/27 ; C23C16/503
摘要:
一种开放式全金刚石散热结构的制备方法,属于半导体器件散热领域。通过精密机加工以实现钼板的通孔结构。接着对高质量自支撑金刚石厚板进行激光切割而得到与钼板孔形相匹配的金刚石棒,并将其填充至钼板的通孔中。随后对填充金刚石棒的钼板上下表面分别进行金刚石生长,直至实现表面金刚石全覆盖并具有一定厚度。最终通过去除钼板而获得开放式全金刚石结构,以实现高热流密度、强热流冲击、宇航空间环境等极端条件下的有效热排散。本发明采用直流电弧等离子体喷射CVD技术制备出面积大、生长速度快、厚板均匀致密,质量优异的金刚石厚板,从而能够形成不同形状的金刚石棒,以满足不同尺寸及形状要求的开放式全金刚石散热结构的要求。
公开/授权文献
- CN113146158A 一种开放式全金刚石散热结构的制备方法 公开/授权日:2021-07-23