发明授权
- 专利标题: 基片处理方法和基片处理系统
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申请号: CN201980076470.7申请日: 2019-07-12
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公开(公告)号: CN113169066B公开(公告)日: 2024-05-31
- 发明人: 久松亨 , 胜沼隆幸 , 石川慎也 , 木原嘉英 , 本田昌伸
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳; 徐飞跃
- 国际申请: PCT/JP2019/027722 2019.07.12
- 国际公布: WO2020/110363 JA 2020.06.04
- 进入国家日期: 2021-05-20
- 主分类号: H01L21/3065
- IPC分类号: H01L21/3065 ; H01L21/302
摘要:
本发明的基片处理方法包括:提供具有掩模的基片的步骤;在掩模上形成膜的步骤;在膜的表层形成反应层的步骤;和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。
公开/授权文献
- CN113169066A 基片处理方法和基片处理系统 公开/授权日:2021-07-23