- 专利标题： 具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法
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申请号： CN202110462410.8申请日： 2021-04-27
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公开(公告)号： CN113218544A公开(公告)日： 2021-08-06
- 发明人: 赵立波 , 李学琛 , 韩香广 , 乔智霞 , 皇咪咪 , 李伟 , 徐廷中 , 杨萍 , 高漪 , 王鸿雁 , 关卫军 , 吴永顺 , 李支康 , 朱瑄 , 王久洪 , 魏于昆 , 山涛 , 蒋庄德
- 申请人： 西安交通大学 , 陕西省计量科学研究院 , 西安航天动力研究所
- 申请人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号; ;
- 专利权人： 西安交通大学,陕西省计量科学研究院,西安航天动力研究所
- 当前专利权人： 西安交通大学,陕西省计量科学研究院,西安航天动力研究所
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号; ;
- 代理机构： 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 王艾华
- 主分类号： G01L1/18
- IPC分类号： G01L1/18 ; G01L9/06 ; G01L19/00 ; B81B7/02 ; B81C1/00
摘要：
本发明公开了具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法，包括承压薄膜、双C型槽、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底。硅基底背面深硅刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构，在硅基底正面刻蚀两组C型槽。相对应的两个C型槽之间形成应力集中区域，四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上。芯片背腔的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。
公开/授权文献
- CN113218544B 具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法 公开/授权日：2022-06-07