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公开(公告)号：CN113218544A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110462410.8
申请日：2021-04-27
申请人： 西安交通大学 , 陕西省计量科学研究院 , 西安航天动力研究所
发明人： 赵立波 , 李学琛 , 韩香广 , 乔智霞 , 皇咪咪 , 李伟 , 徐廷中 , 杨萍 , 高漪 , 王鸿雁 , 关卫军 , 吴永顺 , 李支康 , 朱瑄 , 王久洪 , 魏于昆 , 山涛 , 蒋庄德
摘要： 本发明公开了具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法，包括承压薄膜、双C型槽、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底。硅基底背面深硅刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构，在硅基底正面刻蚀两组C型槽。相对应的两个C型槽之间形成应力集中区域，四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上。芯片背腔的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。
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公开(公告)号：CN113218544B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110462410.8
申请日：2021-04-27
申请人： 西安交通大学 , 陕西省计量科学研究院 , 西安航天动力研究所
发明人： 赵立波 , 李学琛 , 韩香广 , 乔智霞 , 皇咪咪 , 李伟 , 徐廷中 , 杨萍 , 高漪 , 王鸿雁 , 关卫军 , 吴永顺 , 李支康 , 朱瑄 , 王久洪 , 魏于昆 , 山涛 , 蒋庄德
摘要： 本发明公开了具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法，包括承压薄膜、双C型槽、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底。硅基底背面深硅刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构，在硅基底正面刻蚀两组C型槽。相对应的两个C型槽之间形成应力集中区域，四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上。芯片背腔的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。
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公开(公告)号：CN115719777A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110991029.0
申请日：2021-08-26
申请人： 西安交通大学深圳研究院 , 西安交通大学
摘要： 本申请公开了一种高速响应全透明柔性紫外光电探测器的制备方法，涉及光电探测技术领域。包括以下步骤：利用射频磁控溅射沉积法将ZnO光敏薄膜或InGaZnO光敏薄膜、透明导电电极薄膜依次沉积到高透明柔性PI衬底上，构建了全透明柔性紫外光电探测器。ZnO光敏薄膜的生长参数为：柔性透明PI衬底的加热温度为150‑240℃，溅射功率为110‑130W，氩气流量为15‑24sccm；InGaZnO光敏薄膜的生长参数为：溅射功率为110‑130W，氩气流量为15‑24sccm，氧气流量为2‑5sccm。本申请用于制备具有透明、可弯曲变形以及对紫外光具有高响应速度的紫外光电探测器。
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公开(公告)号：CN115188657A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210833538.5
申请日：2022-07-15
申请人： 西安交通大学深圳研究院
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/0296 , H01L33/28
摘要： 本发明公开了一种透明柔性硫化锌光学薄膜及制备方法，本发明利用射频磁控溅射物理气相沉积技术在柔性透明聚酰亚胺衬底上，生长具有晶面择优取向的ZnS薄膜，按原子百分含量比，ZnS薄膜中的Zn:S＝1:1；本发明改变ZnS薄膜生长过程中的衬底温度，在不加热衬底或低温加热衬底的条件下，制备具有不同晶体结构、光透过率、光学常数及表面形貌特性的柔性ZnS薄膜。本发明柔性ZnS薄膜在可见光到红外波长范围内具有85％的高透过率，在400‑890nm波长范围内的折射率为2.21‑2.56，本发明的柔性ZnS薄膜表面性能良好，为实现高性能的光电器件应用提供保障。
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