发明公开
- 专利标题: 溅射内镀黑腔及其制备方法
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申请号: CN202110517710.1申请日: 2021-05-12
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公开(公告)号: CN113249694A公开(公告)日: 2021-08-13
- 发明人: 刘艳松 , 易泰民 , 何智兵 , 李国 , 杨洪 , 谢军 , 漆小波 , 梁榉曦 , 谢春平
- 申请人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 申请人地址: 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
- 专利权人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 当前专利权人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
- 代理机构: 成都虹桥专利事务所
- 代理商 罗明理
- 主分类号: C23C14/34
- IPC分类号: C23C14/34 ; C23C14/16 ; C23C14/04 ; C23C14/02 ; C23C14/58
摘要:
本发明公开的是真空镀膜技术领域和激光惯性约束聚变靶制备技术领域的一种溅射内镀黑腔及其制备方法,所述内镀黑腔,包括套筒和设置在套筒内壁上的镀层,所述镀层采用溅射方式将金属沉积在套筒内壁上。用该方法制备的黑腔镀层,其壁厚均匀性可控、与套筒结合力好。与传统黑腔相比,本申请的方法不需要腐蚀去除芯轴,避免了腐蚀过程对黑腔的影响;套筒上预置微孔结构,避免了黑腔层加工微孔结构对黑腔的损伤;溅射内镀黑腔层与套筒之间结合紧密有利于套筒黑腔导热和温度场调控;套筒和黑腔一体改善了黑腔的力学性能,降低了装配难度;本发明的溅射内镀黑腔制备方法效率高、工艺稳定性好。
公开/授权文献
- CN113249694B 溅射内镀黑腔及其制备方法 公开/授权日:2022-03-15
IPC分类: