化学气相沉积用液态气源匮入装置及方法

    公开(公告)号:CN118639214A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410679786.8

    申请日:2024-05-29

    摘要: 本发明公开了一种化学气相沉积用液态气源匮入装置及方法,涉及分解式化学沉积技术领域,目的是提高匮入化学气相沉积反应腔的反应气源的纯度。本发明采用的技术方案是:化学气相沉积用液态气源匮入装置,包括第一储液罐和第二储液罐,第一储液罐装有抽气管、进料管和排料管,三根管道分别连接阀门,抽气管、进料管和排料管位于第一储液罐内部的一端相对第一储液罐的液位高度依次降低;第二储液罐安装入料管和出料管,入料管的一端位于第二储液罐的内部,另一端与排料管相连,出料管的一端位于第二储液罐的内部并位于罐底之外的位置。本发明通过两级储存和真空密封,避免杂质气体混入反应气源,用于将反应气源匮入化学气相沉积反应腔。

    一种低密度U3O8泡沫陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN117466643A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311384193.0

    申请日:2023-10-24

    摘要: 一种低密度U3O8泡沫陶瓷的制备方法,该方法包括如下步骤:1)配制氧化铀前驱物溶液;2)将泡沫模板置于步骤1)配制的氧化铀前驱物溶液中浸渍,随后在空气中干燥;3)上述步骤循环1~10次,获得氧化铀泡沫坯体;4)将步骤3)所得氧化铀泡沫坯体在低压环境下高温处理,得到氧化铀/碳复合泡沫陶瓷;5)将步骤4)所得物在空气气氛中高温烧结,得到U3O8泡沫陶瓷。本发明可以获得结构完整的低密度U3O8泡沫陶瓷块体材料,材料物相纯度高,密度及泡沫孔径调控范围大,材料最大孔隙率达~95%,可以满足其在催化、激光聚变工程技术等领域的应用。

    黑腔内壁低密度金转化层的制备方法

    公开(公告)号:CN113215532B

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202110517767.1

    申请日:2021-05-12

    摘要: 本发明公开的是激光惯性约束聚变靶制备技术领域的一种黑腔内壁低密度金转化层的制备方法,包括以下步骤:首先采用Au靶与活泼金属靶的双靶共溅方式在芯轴表面制备合金结构的内衬层;然后在内衬层结构的表面制备纯金的支撑层;然后对样品进行退火处理;最后将样品在电解质溶液中进行去芯轴和合金处理,清洗、烘干后得到内衬层为低密度金转化层的黑腔。本发明直接在传统金黑腔内壁原位制备低密度能量转化层,不需要二次加工装配成型,制备方法简单,成本低、效率高,并且低密度Au层的密度和密度分布精确可控,可根据需求有效调节,低密度金层作为金黑腔内衬层可提高激光‑X光能量转化效率,降低黑腔壁损失能量,降低特定角度的闪烁和抑制受激布里渊散射。

    一种铝薄膜与异种金属薄膜的精密连接方法

    公开(公告)号:CN109175658B

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN201810836458.9

    申请日:2018-07-26

    摘要: 一种铝薄膜与异种金属薄膜的精密连接方法,它属于精密连接领域,具体涉及一种铝薄膜与异种金属薄膜的连接方法。本发明的目的是要解决现有铝与异种金属薄膜连接方法得到的扩散层厚度无法达到纳米级或厚度不均匀的问题。一种铝薄膜与异种金属薄膜的精密连接方法:先在异种金属薄膜上镀铝层,然后以异种金属薄膜表面的铝层与铝薄膜面接触形式重叠在一起,再通过真空扩散焊接技术进行焊接,即完成铝薄膜与异种金属薄膜的精密连接。优点:连接界面厚度均匀,平整致密,无微孔和缝隙,厚度控制在百nm量级,薄膜表面粗糙度小于100nm。本发明主要用于铝薄膜与异种金属薄膜的精密连接。