发明公开
- 专利标题: 硒化铋/氮化镓紫外-红外宽波段探测器及其制备方法
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申请号: CN202110580066.2申请日: 2021-05-26
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公开(公告)号: CN113257933A公开(公告)日: 2021-08-13
- 发明人: 王东博 , 曾值 , 王金忠 , 矫淑杰 , 赵晨晨 , 张书博 , 刘东昊
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 李智慧
- 主分类号: H01L31/0336
- IPC分类号: H01L31/0336 ; H01L31/109 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种硒化铋/氮化镓紫外‑红外宽波段探测器及其制备方法,所述探测器包括GaN衬底、Bi2Se3层和金电极,GaN衬底上生长的Bi2Se3层,GaN与Bi2Se3之间形成Bi2Se3/GaN异质结,金电极设置在GaN衬底和Bi2Se3层上,具体制备方法如下:一、在蓝宝石衬底上利用CVD技术生长Bi2Se3层;二、利用磁控溅射技术在GaN衬底和Bi2Se3层表面沉积Au电极,得到Bi2Se3/GaN紫外‑红外宽波段探测器。本发明实现了200~4000nm超宽光谱的光电探测器,利用Bi2Se3/GaN异质结单一结构,实现宽光谱探测。与紫外、红外多个器件叠加实现紫外‑红外探测相比,器件结构简单,降低了系统的体积、功耗和成本。
公开/授权文献
- CN113257933B 硒化铋/氮化镓紫外-红外宽波段探测器及其制备方法 公开/授权日:2023-08-29