本发明属于电力电子技术领域，尤其涉及一种IGBT功率器件的封装工艺。具体地，该IGBT功率器件的封装工艺包括以下步骤：步骤S10：将多个焊接段焊接端正对于对应的各个焊接区域进行放置；步骤S20：将多个条状连接片的两端分别正对于第一焊接区域和第二焊接区域的相应位置进行放置；步骤S30：通过超声波焊接设备将全部焊接段焊接端与全部条状连接片的焊接端一次性地焊接固定在陶瓷覆铜板的相应位置上。应用本发明提供的IGBT功率器件的封装工艺解决了应用现有设计的封装工艺装配生产IGBT功率器件的生产效率低，无法满足批量生产需求的问题。