发明公开
- 专利标题： 一种异质结中长波红外探测器及其制备方法
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申请号： CN202110580050.1申请日： 2021-05-26
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公开(公告)号： CN113284975A公开(公告)日： 2021-08-20
- 发明人: 王东博 , 刘东昊 , 肖淑丹 , 王金忠 , 胡云飞 , 张冰珂 , 矫淑杰 , 李政昊 , 张雨琦
- 申请人： 哈尔滨工业大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人： 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构： 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 李智慧
- 主分类号： H01L31/109
- IPC分类号： H01L31/109 ; H01L31/0336 ; H01L31/18
摘要：
本发明公开了一种异质结中长波红外探测器及其制备方法，所述探测器包括Si衬底、WS2/石墨烯量子点异质结和金电极，Si衬底上生长WS2/石墨烯量子点异质结，金电极设置在WS2/石墨烯量子点异质结上，制备步骤如下：一、在Si衬底上磁控溅射沉积WS2薄膜；二、制备WS2/石墨烯量子点异质结；三、利用磁控溅射技术在异质结表面沉积Au电极。本发明的探测器为光电导型器件，通过合成WS2/石墨烯量子点异质结使材料的带隙处于中长波红外波段，当入射光子能量大于异质结禁带宽度，材料中光生载流子可以实现跃迁，整个材料体系的电导率增大，从而实现器件在中长波红外波段的响应，材料制备工艺简单，便于工业化大规模生产。
公开/授权文献
- CN113284975B 一种异质结中长波红外探测器及其制备方法 公开/授权日：2023-05-02