发明公开
CN113330578A 半导体装置及其制造方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
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申请号： CN201980089860.8申请日： 2019-01-21
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公开(公告)号： CN113330578A公开(公告)日： 2021-08-31
- 发明人: 丸井俊治 , 林哲也 , 沼仓启一郎 , 倪威 , 田中亮太 , 竹本圭佑
- 申请人： 日产自动车株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 日产自动车株式会社
- 当前专利权人： 日产自动车株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 孙杰
- 国际申请： PCT/IB2019/000063 2019.01.21
- 国际公布： WO2020/152489 JA 2020.07.30
- 进入国家日期： 2021-07-21
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L29/861 ; H01L29/868
摘要：
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。