发明公开
- 专利标题: 使用堆叠栅极非易失性存储器单元阵列的神经网络分类器
-
申请号: CN201980090613.X申请日: 2019-08-29
-
公开(公告)号: CN113366506A公开(公告)日: 2021-09-07
- 发明人: H·V·特兰 , S·莱姆克 , V·蒂瓦里 , N·多 , M·雷顿
- 申请人: 硅存储技术股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 硅存储技术股份有限公司
- 当前专利权人: 硅存储技术股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 蔡悦
- 优先权: 62/798,417 20190129 US 16/382,051 20190411 US
- 国际申请: PCT/US2019/048934 2019.08.29
- 国际公布: WO2020/159580 EN 2020.08.06
- 进入国家日期: 2021-07-28
- 主分类号: G06N3/063
- IPC分类号: G06N3/063
摘要:
本发明公开了一种具有突触的神经网络设备,该突触具有存储器单元,该存储器单元各自具有:位于半导体衬底中的源极区和漏极区,其中沟道区在该源极区和该漏极区之间延伸;位于整个沟道区上方的浮栅;以及位于浮栅上方的第一栅极。第一线各自将存储器单元行中的一行中的第一栅极电连接在一起,第二线各自将存储器单元行中的一行中的源极区电连接在一起,并且第三线各自将存储器单元列中的一列中的漏极区电连接在一起。突触被配置为接收第一多个输入作为第一线或第二线上的电压,并提供第一多个输出作为第三线上的电流。