- 专利标题： 一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶
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申请号： CN202110849202.3申请日： 2021-07-27
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公开(公告)号： CN113371712A公开(公告)日： 2021-09-10
- 发明人: 娄艳芳 , 刘春俊 , 杨帆 , 姜克勇 , 邹宇 , 赵宁 , 王波 , 彭同华 , 杨建
- 申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
- 申请人地址： 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室; ;
- 专利权人： 北京天科合达半导体股份有限公司,新疆天科合达蓝光半导体有限公司,江苏天科合达半导体有限公司
- 当前专利权人： 北京天科合达半导体股份有限公司,新疆天科合达蓝光半导体有限公司,江苏天科合达半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室; ;
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 王欢
- 主分类号： C01B32/984
- IPC分类号： C01B32/984 ; C30B29/36 ; C30B23/00
摘要：
本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和单晶的氮含量均小于5×1016/cm3。
公开/授权文献
- CN113371712B 一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶 公开/授权日：2022-11-08
