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公开(公告)号：CN114540954B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202011341347.4
申请日：2020-11-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅单晶片及其制备方法、碳化硅晶体及其制备方法、半导体器件，所述碳化硅单晶片表面为其法线方向与c向夹角为0度‑8度之间的表面，且该碳化硅单晶片上的聚集位错小于300个/cm2，所述聚集位错是指经过熔融KOH腐蚀后，得到的腐蚀坑中，任意两个腐蚀坑的几何中心之间的距离小于80微米的位错聚集情况。即使在位错密度相对较高的情况下，聚集位错密度也较小，从而提高了碳化硅基器件的良率。
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公开(公告)号：CN114540954A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011341347.4
申请日：2020-11-25
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅单晶片及其制备方法、碳化硅晶体及其制备方法、半导体器件，所述碳化硅单晶片表面为其法线方向与c向夹角为0度‑8度之间的表面，且该碳化硅单晶片上的聚集位错小于300个/cm2，所述聚集位错是指经过熔融KOH腐蚀后，得到的腐蚀坑中，任意两个腐蚀坑的几何中心之间的距离小于80微米的位错聚集情况。即使在位错密度相对较高的情况下，聚集位错密度也较小，从而提高了碳化硅基器件的良率。
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公开(公告)号：CN113371712A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110849202.3
申请日：2021-07-27
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
IPC分类号： C01B32/984 , C30B29/36 , C30B23/00
摘要： 本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和单晶的氮含量均小于5×1016/cm3。
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公开(公告)号：CN112557402B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011411979.3
申请日：2020-12-04
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种位错检测系统，所述位错检测系统采用对焦模块按照预设路径向待测样品出射探测光线，并接收所述待测样品反射的所述探测光线，并根据接收的所述探测光线形成探测图像，然后利用数据处理模块基于图像处理技术对所述待测图像进行自动识别，以获取包括所述待测图像中包括的位错信息，从而实现对待测样品的位错信息进行自动检测的目的，有利于提高对于待测样品的位错信息的检测效率，并且相较于人工检测位错的方法可以较为容易的增加对于待测样品的采集点数量，有利于提高位错密度的估算精度。
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公开(公告)号：CN113371712B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110849202.3
申请日：2021-07-27
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
IPC分类号： C01B32/984 , C30B29/36 , C30B23/00
摘要： 本发明提供了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤:将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。本发明采用易挥发高纯有机物在制备碳化硅粉料过程中将原料表面以及晶界处的氮带走，进而降低产品中氮含量。实验结果表明：碳化硅粉料和单晶的氮含量均小于5×1016/cm3。
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公开(公告)号：CN112557402A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011411979.3
申请日：2020-12-04
申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 , 北京天科合达新材料有限公司 , 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 江苏天科合达半导体有限公司
摘要： 本申请公开了一种位错检测系统，所述位错检测系统采用对焦模块按照预设路径向待测样品出射探测光线，并接收所述待测样品反射的所述探测光线，并根据接收的所述探测光线形成探测图像，然后利用数据处理模块基于图像处理技术对所述待测图像进行自动识别，以获取包括所述待测图像中包括的位错信息，从而实现对待测样品的位错信息进行自动检测的目的，有利于提高对于待测样品的位错信息的检测效率，并且相较于人工检测位错的方法可以较为容易的增加对于待测样品的采集点数量，有利于提高位错密度的估算精度。
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公开(公告)号：CN109844185B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201780054385.1
申请日：2017-03-30
申请人： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 提供用于生长SiC晶体的SiC原料的制备方法和装置。该方法包括：将SiC粉料装入第一石墨坩埚中，在第一石墨坩埚上倒置安装第二石墨坩埚；将安装好的两个石墨坩埚放入加热装置中，将加热装置抽真空并升温至预设温度；其中，第一石墨坩埚位于相对高温区，第二石墨坩埚位于相对低温区，SiC粉料升华并被输运至第二石墨坩埚中而结晶，以获得结晶的SiC原料，该原料将被用于生长SiC晶体。该装置包括第一、第二石墨坩埚以及加热装置，且自第二石墨坩埚底部向上设置隔离件，该隔离件与第二石墨坩埚的侧壁间隔预定距离。该方法和装置能够降低由此原料制得的SiC晶体中的杂质含量，减少微观包裹物，降低位错密度，提供中后期SiC晶体的生长速率和产率。
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公开(公告)号：CN105420812B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510587796.X
申请日：2015-09-16
申请人： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法。该方法主要利用氧化性酸在一定温度下可以与籽晶粘合剂——糖或有机胶等有机物发生化学反应，而碳化硅籽晶不与氧化性酸反应，从而将碳化硅籽晶从籽晶托上剥离，剥离下的籽晶通过水洗、烘干和返抛后可再用于晶体生长。
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公开(公告)号：CN109844185A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780054385.1
申请日：2017-03-30
申请人： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 提供用于生长SiC晶体的SiC原料的制备方法和装置。该方法包括：将SiC粉料装入第一石墨坩埚中，在第一石墨坩埚上倒置安装第二石墨坩埚；将安装好的两个石墨坩埚放入加热装置中，将加热装置抽真空并升温至预设温度；其中，第一石墨坩埚位于相对高温区，第二石墨坩埚位于相对低温区，SiC粉料升华并被输运至第二石墨坩埚中而结晶，以获得结晶的SiC原料，该原料将被用于生长SiC晶体。该装置包括第一、第二石墨坩埚以及加热装置，且自第二石墨坩埚底部向上设置隔离件，该隔离件与第二石墨坩埚的侧壁间隔预定距离。该方法和装置能够降低由此原料制得的SiC晶体中的杂质含量，减少微观包裹物，降低位错密度，提供中后期SiC晶体的生长速率和产率。
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公开(公告)号：CN105420812A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510587796.X
申请日：2015-09-16
申请人： 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种从籽晶托上剥离碳化硅籽晶的方法。该方法主要利用高浓度的氧化性酸在一定温度下可以与籽晶粘合剂——糖或有机胶等有机物发生化学反应，而碳化硅籽晶不与高浓度的氧化性酸反应，从而将碳化硅籽晶从籽晶托上剥离，剥离下的籽晶通过水洗、烘干和返抛后可再用于晶体生长。
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