- 专利标题: 一种存储器的纠错方法、纠错装置和数据刷新方法
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申请号: CN202110694331.X申请日: 2021-06-22
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公开(公告)号: CN113380315B公开(公告)日: 2023-03-24
- 发明人: 王颀 , 杨柳 , 何菁 , 李前辉 , 于晓磊 , 霍宗亮 , 叶甜春
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 柳虹
- 主分类号: G11C29/08
- IPC分类号: G11C29/08 ; G11C29/12 ; G11C29/42
摘要:
本申请实施例提供了一种存储器的纠错方法及装置,确定阈值电压分布态的初始电压位置,确定所述阈值电压分布态的左移电压位置;根据所述阈值电压分布态的初始电压位置和左移电压位置,删除所述阈值电压分布态的至少一个分布态,以增大所述阈值电压分布态之间的电压间隔。由此可见,本申请实施例中通过确定阈值电压分布态的初始电压位置和左移电压位置,能够确定存储器是否发生了数据保持错误,当发生数据保持错误之后,删除阈值电压分布态的至少一个分布态,增大阈值电压分布态之间的电压间隔,以便降低数据保持错误,因此延长了存储单元的数据保持时间。
公开/授权文献
- CN113380315A 一种存储器的纠错方法、纠错装置和数据刷新方法 公开/授权日:2021-09-10