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公开(公告)号：CN118866054A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411032000.X
申请日：2024-07-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/04 , G06N3/0442 , G06N3/0895
摘要： 本公开提供了一种漏电抑制方法和装置，可以应用于非易失性存储器技术领域。该漏电抑制方法包括：将待存储数据输入目标神经网络，输出字线偏移地址，其中，字线偏移地址是与待存储数据中的数据状态值对应的最能抑制快闪存储器中相邻字线彼此之间漏电的地址；从快闪存储器的预存字线地址中确定字线基地址；基于字线基地址和字线偏移地址，从快闪存储器的字线中确定目标字线；通过使用目标字线将数据状态值写入快闪存储器的存储单元，来抑制漏电。
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公开(公告)号：CN112735502B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202011641118.4
申请日：2020-12-31
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 本申请公开了一种用于闪存的阈值分布拟合方法、装置及系统，对初始阈值电压分布中的多个电压区间内的存储单元分布进行拟合，得到第一拟合正态分布参数，之后可以对相邻的两个阈值电压分布态中的一个进行拟合，具体的，已拟合阈值电压分布态和待拟合阈值电压分布态为相邻的两个阈值电压分布态，则在得到已拟合阈值电压分布态的第二拟合正态分布参数后，可以根据第二拟合正态分布参数后拟合得到待拟合阈值电压分布态的第三拟合正态分布参数。本申请实施例中，可以依次进行阈值电压分布态的拟合，对阈值电压分布态的拟合过程中只参考在前拟合得到的与该阈值电压分布态相邻的阈值电压分布态的拟合正态分布参数，减少了数据计算量，提高拟合效率。
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公开(公告)号：CN113241107B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110608795.4
申请日：2021-06-01
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G11C16/04 , H01L27/11517 , H01L27/11551
摘要： 本申请提供了一种减少三维存储器的数据刷新操作的方法及装置，当检测到存储块中的数据的误码率大于或等于第一预设阈值时，将存储块作为目标存储块，确定位于目标存储块中的目标存储层，对目标存储层的相邻层进行数据刷新，对目标存储层的相邻层的存储页施加编程电压，以利用字线串扰效应向目标存储层内的存储页注入电子，编程电压使相邻层的存储页的阈值电压高于存储器的存储页的最高阈值电压，当检测到目标存储层中的数据的误码率大于或等于第一预设阈值时，对目标存储层进行数据刷新。即通过相邻层对目标存储层的字线串扰效应，延长目标存储层的数据存储时间，减少三维存储器的总数据刷新次数，降低因数据刷新对三维存储器性能的影响。
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公开(公告)号：CN113241107A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110608795.4
申请日：2021-06-01
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G11C16/04 , H01L27/11517 , H01L27/11551
摘要： 本申请提供了一种减少三维存储器的数据刷新操作的方法及装置，当检测到存储块中的数据的误码率大于或等于第一预设阈值时，将存储块作为目标存储块，确定位于目标存储块中的目标存储层，对目标存储层的相邻层进行数据刷新，对目标存储层的相邻层的存储页施加编程电压，以利用字线串扰效应向目标存储层内的存储页注入电子，编程电压使相邻层的存储页的阈值电压高于存储器的存储页的最高阈值电压，当检测到目标存储层中的数据的误码率大于或等于第一预设阈值时，对目标存储层进行数据刷新。即通过相邻层对目标存储层的字线串扰效应，延长目标存储层的数据存储时间，减少三维存储器的总数据刷新次数，降低因数据刷新对三维存储器性能的影响。
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公开(公告)号：CN118626018A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410828083.7
申请日：2024-06-25
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请提供一种数据传输方法，通过响应于控制器发送的传输指令，根据稀疏数据的数值，和所述稀疏数据在待处理数据中对应的地址信息，对所述待处理数据进行编码，获得所述待处理数据的编码信息，基于数据传输周期，传输所述待处理数据的编码信息。本申请在对待处理数据进行传输的过程中，考虑到待处理数据中可能存在无效数据，通过传输指示稀疏数据的数值，和稀疏数据在待处理数据中对应的地址信息的编码信息，可以只传输有效数据，避免无效数据占用一定的传输周期，提高数据的传输效率。
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公开(公告)号：CN117851108A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211211230.3
申请日：2022-09-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明提供了一种基于插入电压态辅助LDPC译码的方法及系统，该基于插入电压态辅助LDPC译码的方法在对每一个物理页进行编码的过程中，每个物理页对应的三个逻辑页同时增加冗余位，将适当数量的电压态插入到编码好的第一码字中，插入的电压态作为辅助来反映本物理页中这些插入的电压态的误码率情况，在译码的过程中由于已知插入电压态的位置，则可以通过与原写入的电压态进行异或计算即可得到插入的每个电压态对应的误码率，之后对原始误码率查找表中电压态的误码率进行修正得到目标误码率查找表，再基于目标误码率查找表计算每个电压态对应的LLR信息，进而提升LDPC的译码性能。
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公开(公告)号：CN113380315B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110694331.X
申请日：2021-06-22
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请实施例提供了一种存储器的纠错方法及装置，确定阈值电压分布态的初始电压位置，确定所述阈值电压分布态的左移电压位置；根据所述阈值电压分布态的初始电压位置和左移电压位置，删除所述阈值电压分布态的至少一个分布态，以增大所述阈值电压分布态之间的电压间隔。由此可见，本申请实施例中通过确定阈值电压分布态的初始电压位置和左移电压位置，能够确定存储器是否发生了数据保持错误，当发生数据保持错误之后，删除阈值电压分布态的至少一个分布态，增大阈值电压分布态之间的电压间隔，以便降低数据保持错误，因此延长了存储单元的数据保持时间。
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公开(公告)号：CN115132261A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210654608.0
申请日：2022-06-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请提供一种三维存储器数据刷新方法、装置、系统和介质，方法包括：根据闪存块中误码率最大的存储页确定弱存储页的数据刷新周期，根据弱存储页的数据刷新周期对弱存储页进行数据刷新，当强存储页的误码率大于预设阈值时，将误码率大于预设阈值的强存储页更新标记为弱存储页，并进行数据刷新，根据强存储页的中误码率最大的存储页确定强存储页的数据刷新周期，根据强存储页的数据刷新周期对强存储页进行数据刷新。从而将同一闪存块的数据刷新分为弱存储页数据刷新和强存储页数据刷新两部分来完成，可降低整体的刷新频率，减少系统开销，且动态修改强存储页的标记，避免强存储页经历多个刷新周期后误码超过误差校正码纠正上限而没来得及刷新。
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公开(公告)号：CN115035936A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210794132.0
申请日：2022-07-07
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请实施例提供了一种存储器的译码方法及装置，对存储器内多个存储单元以页为单位进行数据读取操作，读取得到目标页的第一数据，利用通过历史LLR值进行修正后的包括正确译码部分的第二数据以及从目标页读取出的第一数据，得到包括正确译码部分的第二数据转移为第一数据的转移概率，利用转移概率计算新的目标LLR值，这种计算目标LLR值的方式计算速度较高，计算开销较低，无需多次读取数据，能够降低译码失败后再次进行译码的时间，更新后的目标LLR值可以辅助对第二数据进行译码，以提高第二数据译码成功的概率，提高译码性能，提高闪存器件的性能。
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公开(公告)号：CN113380315A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110694331.X
申请日：2021-06-22
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请实施例提供了一种存储器的纠错方法及装置，确定阈值电压分布态的初始电压位置，确定所述阈值电压分布态的左移电压位置；根据所述阈值电压分布态的初始电压位置和左移电压位置，删除所述阈值电压分布态的至少一个分布态，以增大所述阈值电压分布态之间的电压间隔。由此可见，本申请实施例中通过确定阈值电压分布态的初始电压位置和左移电压位置，能够确定存储器是否发生了数据保持错误，当发生数据保持错误之后，删除阈值电压分布态的至少一个分布态，增大阈值电压分布态之间的电压间隔，以便降低数据保持错误，因此延长了存储单元的数据保持时间。
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