发明授权
- 专利标题： 深紫外发光元件及其制备方法
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申请号： CN202110662668.2申请日： 2021-06-15
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公开(公告)号： CN113394315B公开(公告)日： 2022-08-26
- 发明人: 郑锦坚 , 高默然 , 毕京锋 , 范伟宏 , 曾家明 , 张成军
- 申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
- 申请人地址： 福建省厦门市海沧区兰英路99号;
- 专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司,杭州士兰明芯科技有限公司
- 当前专利权人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司,杭州士兰明芯科技有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省厦门市海沧区兰英路99号;
- 代理机构： 上海思捷知识产权代理有限公司
- 代理商 刘畅
- 主分类号： H01L33/06
- IPC分类号： H01L33/06 ; H01L33/12 ; H01L33/20 ; H01L33/00
摘要：
本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中，所述深紫外发光元件包括：衬底、依次形成于所述衬底上的第一缓冲层、Al极性面修饰层、第二缓冲层、合并层、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层。本发明通过形成Al极性面修饰层，减少了晶格失配，降低了深紫外发光元件的位错和缺陷密度，进而提升了深紫外发光元件的发光效率。
公开/授权文献
- CN113394315A 深紫外发光元件及其制备方法 公开/授权日：2021-09-14
IPC分类:
