-
公开(公告)号：CN113410345B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110661380.3
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种紫外半导体发光元件，从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、老化漏电控制层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述老化漏电控制层为第一结构层与第二结构层组成的超晶格结构。本发明通过在n型半导体层和量子阱层之间增加具有超晶格结构的老化漏电控制层，能够改善紫外半导体发光元件的老化漏电性能。
-
公开(公告)号：CN113394314B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110662667.8
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体发光元件，所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、掺杂量子阱层、老化光衰控制层以及p型半导体层，所述老化光衰控制层从下至上依次包括具有至少一层非掺杂的垒层的非掺杂量子阱层、第一光衰控制层和/或第二光衰控制层。本发明通过在掺杂量子阱层和p型半导体层之间增加老化光衰控制层，可以降低长期老化过程中掺杂量子阱层的Si与p型半导体层的Mg扩散相接触的几率，改善半导体发光元件，尤其是紫外半导体发光元件的老化发光衰减性能，使得1000小时老化光衰由30％以上(甚至50％以上)下降至10％以内。
-
公开(公告)号：CN113394314A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110662667.8
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体发光元件，所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、掺杂量子阱层、老化光衰控制层以及p型半导体层，所述老化光衰控制层从下至上依次包括具有至少一层非掺杂的垒层的非掺杂量子阱层、第一光衰控制层和/或第二光衰控制层。本发明通过在掺杂量子阱层和p型半导体层之间增加老化光衰控制层，可以降低长期老化过程中掺杂量子阱层的Si与p型半导体层的Mg扩散相接触的几率，改善半导体发光元件，尤其是紫外半导体发光元件的老化发光衰减性能，使得1000小时老化光衰由30％以上(甚至50％以上)下降至10％以内。
-
公开(公告)号：CN113410348B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110661377.1
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中所述深紫外发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述量子阱层包括掺杂量子阱层和位于所述掺杂量子阱层上的非掺杂量子阱层。本发明通过设置双量子阱结构，提升发光效率和强度，且由于掺杂量子阱层和p型半导体层中间隔着非掺杂量子阱层，可以减少高温或长期使用条件下Mg和Si迁移导致的发光衰减现象，使得1000小时的发光衰减从30％降低到10％以内。
-
公开(公告)号：CN113410350A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110662666.3
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中，所述深紫外发光元件包括：衬底、依次形成于所述衬底上的第一缓冲层、N极性面修饰层、第二缓冲层、合并层、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层。本发明通过形成N极性面修饰层，减少了晶格失配，降低了深紫外发光元件的缺陷和位错密度，提升了所述深紫外发光元件的发光效率。
-
公开(公告)号：CN113410348A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110661377.1
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中所述深紫外发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述量子阱层包括掺杂量子阱层和位于所述掺杂量子阱层上的非掺杂量子阱层。本发明通过设置双量子阱结构，提升发光效率和强度，且由于掺杂量子阱层和p型半导体层中间隔着非掺杂量子阱层，可以减少高温或长期使用条件下Mg和Si迁移导致的发光衰减现象，使得1000小时的发光衰减从30％降低到10％以内。
-
公开(公告)号：CN113394319A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110662673.3
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中所述深紫外发光元件包括：衬底和位于所述衬底上的外延层，所述外延层从下至上依次包括：第一n型半导体层、阻拦层、量子阱层以及P型半导体层，其中，所述阻拦层包括至少两层空穴阻拦层以及每两层相邻的空穴阻拦层之间的第二n型半导体层。本发明通过在所述第一n型半导体层与量子阱层之间增加阻拦层，可以调控量子阱层中的电子和空穴波函数的分布，减少p型空穴往第一n型半导体层扩散跃迁，同时，可以减轻量子阱层的电子和空穴的浓度差异程度，提升量子阱层中电子和空穴的电子波函数的交叠和复合几率，进而提升深紫外发光元件的量子转换效率，使得深紫发光元件的发光效率提升至5％～10％。
-
公开(公告)号：CN113394316A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110661376.7
申请日：2021-06-15
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中，所述深紫外发光元件从下至上依次包括：衬底、多重缓冲层、合并层、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述多重缓冲层包括第一缓冲层以及位于所述第一缓冲层上的第二缓冲层，且所述第二缓冲层包括生长温度呈梯度变化的至少两层结构，且所述第二缓冲层的生长温度为900℃～1200℃。本发明通过形成多重缓冲层结构，可有效释放合并层与衬底间的晶格失配应力和热应力，以减少深紫外发光元件的缺陷和位错密度，进而提升深紫外发光元件的发光效率至5％～10％。
-
公开(公告)号：CN113333374A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110649489.5
申请日：2021-06-10
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种石墨盘的清洗方法，包括：提供一石墨盘，所述石墨盘的表面具有待去除的沉积物，所述沉积物包括高Al组分的化合物；以及，采用碱性溶液清洗、Cl2氛围下高温烘烤、HCl氛围下高温烘烤以及H2氛围下高温烘烤的方法中的至少两种去除所述沉积物。本发明的技术方案能够有效去除石墨盘表面的包括高Al组分的化合物的沉积物，避免影响后续生长的外延质量，进而避免影响发光二极管的性能。
-
公开(公告)号：CN113333374B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110649489.5
申请日：2021-06-10
申请人： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 , 杭州士兰明芯科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种石墨盘的清洗方法，包括：提供一石墨盘，所述石墨盘的表面具有待去除的沉积物，所述沉积物包括高Al组分的化合物；以及，采用碱性溶液清洗、Cl2氛围下高温烘烤、HCl氛围下高温烘烤以及H2氛围下高温烘烤的方法中的至少两种去除所述沉积物。本发明的技术方案能够有效去除石墨盘表面的包括高Al组分的化合物的沉积物，避免影响后续生长的外延质量，进而避免影响发光二极管的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
28 条记录 (耗时 0.067 秒)
