碳化硅半导体器件
摘要:
碳化硅衬底具有第一杂质区、第二杂质区、第三杂质区、第四杂质区和第五杂质区。在通过第一杂质区和第三杂质区中的每一个从第一主表面朝向第二主表面的方向上,p型杂质的浓度分布具有第一最大值和比呈现第一相对最大值的位置更靠近第一主表面的第三相对最大值。在通过第二杂质区和第四杂质区中的每一个从第一主表面朝向第二主表面的方向上,n型杂质的浓度分布具有第二相对最大值和比呈现第二相对最大值的位置更靠近第一主表面的第四相对最大值。第四相对最大值大于第三相对最大值,第三相对最大值大于第二相对最大值,并且第二相对最大值大于第一相对最大值。
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