发明授权
- 专利标题: 碳化硅半导体器件
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申请号: CN202080012332.5申请日: 2020-01-22
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公开(公告)号: CN113396481B公开(公告)日: 2024-08-09
- 发明人: 增田健良 , 斋藤雄
- 申请人: 住友电气工业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府大阪市
- 专利权人: 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人: 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府大阪市
- 代理机构: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李兰; 孙志湧
- 国际申请: PCT/JP2020/002095 2020.01.22
- 国际公布: WO2020/162175 JA 2020.08.13
- 进入国家日期: 2021-08-03
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L29/12 ; H01L21/336
摘要:
碳化硅衬底具有第一杂质区、第二杂质区、第三杂质区、第四杂质区和第五杂质区。在通过第一杂质区和第三杂质区中的每一个从第一主表面朝向第二主表面的方向上,p型杂质的浓度分布具有第一最大值和比呈现第一相对最大值的位置更靠近第一主表面的第三相对最大值。在通过第二杂质区和第四杂质区中的每一个从第一主表面朝向第二主表面的方向上,n型杂质的浓度分布具有第二相对最大值和比呈现第二相对最大值的位置更靠近第一主表面的第四相对最大值。第四相对最大值大于第三相对最大值,第三相对最大值大于第二相对最大值,并且第二相对最大值大于第一相对最大值。
公开/授权文献
- CN113396481A 碳化硅半导体器件 公开/授权日:2021-09-14
IPC分类: