发明公开
CN113410230A 半导体器件及方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体器件及方法
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申请号： CN202110049095.6申请日： 2021-01-14
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公开(公告)号： CN113410230A公开(公告)日： 2021-09-17
- 发明人: 黄玉莲 , 王冠人 , 傅劲逢
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- 代理商 陈蒙
- 优先权： 16/917,473 20200630 US
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L21/8238
摘要：
本公开涉及半导体器件及方法。在实施例中，一种器件，包括：第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；层间电介质(ILD)层，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之上；第一源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第一源极/漏极接触件被连接到第一源极/漏极区域；第二源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第二源极/漏极接触件被连接到第二源极/漏极区域；以及隔离特征，在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间，该隔离特征包括电介质衬里和空隙，电介质衬里围绕空隙。
IPC分类:
