发明授权
- 专利标题: 一种超柔性透明半导体薄膜及其制备方法
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申请号: CN202010213156.3申请日: 2020-03-24
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公开(公告)号: CN113451108B公开(公告)日: 2024-06-25
- 发明人: 赵宇坤 , 陆书龙 , 邢志伟 , 张建亚
- 申请人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 申请人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
- 专利权人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
- 代理机构: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司
- 代理商 孙伟峰; 阳志全
- 主分类号: H01L21/02
- IPC分类号: H01L21/02 ; H01L21/78 ; B81B7/04 ; B81C1/00
摘要:
本发明公开了一种超柔性透明半导体薄膜及其制备方法,该方法包括:提供一外延衬底;在外延衬底上生长牺牲层;在牺牲层上层叠生长至少一层Al1‑nGanN外延层,其中,0<n≤1;在Al1‑nGanN外延层上生长含有GaN材料的纳米柱阵列;刻蚀牺牲层,以将牺牲层上的外延结构整体剥离;将剥离后的外延结构转移至柔性透明衬底的表面。相对于传统的平面薄膜,本发明不仅可以通过释放应力提高晶体质量,也能通过纳米柱材料自身的特点提高柔性和透明度。另外,外延结构所需的缓冲层和牺牲层的总厚度可以很小,而且外延生长过程中无需额外的催化剂,有利于降低外延成本和工艺难度。本发明实用性强,可为隐形半导体器件和超柔性器件提供技术支持。
公开/授权文献
- CN113451108A 一种超柔性透明半导体薄膜及其制备方法 公开/授权日:2021-09-28