发明公开
- 专利标题: 耐热型QFN封装半导体器件
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申请号: CN202110620907.8申请日: 2019-03-06
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公开(公告)号: CN113451226A公开(公告)日: 2021-09-28
- 发明人: 马磊 , 党鹏 , 杨光 , 彭小虎 , 王新刚 , 庞朋涛 , 任斌 , 王妙妙
- 申请人: 西安航思半导体有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 王健
- 主分类号: H01L23/29
- IPC分类号: H01L23/29 ; H01L23/367 ; H01L23/488
摘要:
本发明公开了一种耐热型QFN封装半导体器件,散热焊盘远离芯片的一侧开有分隔槽,所述分隔槽宽度为0.1~0.3mm,所述分隔槽将散热焊盘远离芯片的一侧等分分隔形成至少2块焊盘单体,所述分隔槽中填充有导热绝缘条;环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明耐热型QFN封装半导体器件增强了环氧绝缘体的整体力学性能,有效保证了封装结构稳定性和兼具有优秀的耐热性能。
公开/授权文献
- CN113451226B 耐热型QFN封装半导体器件 公开/授权日:2022-07-19
IPC分类: