发明授权
- 专利标题: 高可靠性QFN封装器件结构
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申请号: CN202110620909.7申请日: 2019-03-06
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公开(公告)号: CN113451227B公开(公告)日: 2022-07-19
- 发明人: 马磊 , 党鹏 , 杨光 , 彭小虎 , 王新刚 , 庞朋涛 , 任斌 , 王妙妙
- 申请人: 西安航思半导体有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人: 西安航思半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 王健
- 主分类号: H01L23/29
- IPC分类号: H01L23/29 ; H01L23/367 ; H01L23/488
摘要:
本发明公开了一种高可靠性QFN封装器件结构,包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘,所述分隔槽槽壁上开有若干个延伸至散热焊盘内的T形槽,所述导热绝缘条上设有填充于T形槽中的T形部;所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分:环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明高可靠性QFN封装器件结构增强了环氧绝缘体的整体力学性能,兼具有优秀的耐热性能。
公开/授权文献
- CN113451227A 高可靠性QFN封装器件结构 公开/授权日:2021-09-28
IPC分类: