- 专利标题: 基于FBAR滤波延时结构的单通道射频抗饱和装置和方法
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申请号: CN202110729655.2申请日: 2021-06-29
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公开(公告)号: CN113452393B公开(公告)日: 2022-06-21
- 发明人: 李杨飞 , 林铭团 , 郭岳儒 , 刘铭 , 徐明 , 翟多才 , 李元鑫 , 刘继斌
- 申请人: 中国人民解放军国防科技大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 代理机构: 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- 代理商 邱轶
- 主分类号: H04B1/10
- IPC分类号: H04B1/10 ; H03H9/58 ; H03H9/56
摘要:
本申请涉及一种基于FBAR滤波延时结构的单通道射频抗饱和装置和方法。所述装置包括:功率分配模块、FBAR滤波器延时模块、自适应滤波处理模块、幅相加权模块以及对消模块,其中功率分配模块将单路射频信号转化为多路射频信号,并输入到FBAR滤波器延时模块中得到不同延时的时延射频信号,自适应滤波处理模块对时延射频信号进行自适应滤波,最优权值,幅相处理单元根据最优权值对各路射频信号进行加权,然后再经过反相对消处理,得到饱和干扰抑制后的单路射频信号。本装置通过FBAR滤波延时装置替代繁重的同轴线延时结构和复杂的光纤延时结构,在确保单通道射频抗饱和功能的前提下,极大的减小了延时结构的尺寸。
公开/授权文献
- CN113452393A 基于FBAR滤波延时结构的单通道射频抗饱和装置和方法 公开/授权日:2021-09-28