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公开(公告)号：CN115549717B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211028122.2
申请日：2022-08-25
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本申请涉及有源开关型非互易防护电路和通信设备，该电路包括第一端口电路、定向耦合器、防护模块、第一检波模块、第二检波模块、比较器模块、开关模块和第二端口电路。定向耦合器用于将通路信号分别耦合到第一检波模块和第二检波模块，以分别将耦合信号转换成第一检波电压和第二检波电压，比较器模块用于根据第一检波电压和第二检波电压的大小关系输出第一电平或第二电平，开关模块用于第一电平下控制防护模块启动工作以及在第二电平下控制防护模块不启动工作，防护模块用于在启动工作时对通路信号进行限幅；信号接收时第一检波电压大于第二检波电压，信号发射时第一检波电压小于第二检波电压。降低非互易防护电路的电路复杂度。
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公开(公告)号：CN115378386A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211026664.6
申请日：2022-08-25
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本申请涉及开关型非互易防护电路和通信设备，该电路包括第一端口电路、定向耦合器、防护模块、检波模块、开关模块和第二端口电路。定向耦合器用于将通路信号耦合到检波模块，检波模块用于将耦合信号转换成检波电压，开关模块用于在检波电压大于开关导通电压时控制防护模块启动工作，以及在检波电压小于开关导通电压时控制防护模块不启动工作，防护模块用于在启动工作时对超过起限电平的通路信号进行限幅；耦合信号包括接收信号或发射信号，接收信号的信号功率大于发射信号的信号功率。降低了非互易防护电路的电路复杂度。
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公开(公告)号：CN114759326A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210329867.6
申请日：2022-03-30
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种微带梳状线型限幅滤波器，从上到下依次包括金属微带结构、介质基板、底板金属，金属微带结构采用薄膜电路工艺蚀刻在介质基板之上，底板金属采用薄膜电路工艺蚀刻在介质基板之下。金属微带结构由N个谐振单元、N个PIN二极管、馈电抽头、接地金属组成。金属微带结构中N个谐振单元均匀排列而成梳状线结构；N个谐振单元的最左端、最右端分别加载馈电抽头；N个PIN二极管分别焊接在N个谐振单元与接地金属之间。介质基板的N个通孔连接金属微带结构与底板金属。本发明解决滤波器与限幅器级联插入损耗大、结构复杂、体积大，以及单一限幅滤波器要求工作环境严苛等技术问题，本发明可在常温情况下实现，提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN114759325A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210329866.1
申请日：2022-03-30
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种微带交指线型限幅滤波器，从上到下依次包括金属微带结构、介质基板、底板金属，金属微带结构采用薄膜电路工艺蚀刻在介质基板之上，底板金属采用薄膜电路工艺蚀刻在介质基板之下。金属微带结构由N个谐振单元、N个PIN二极管、2个馈电抽头、2个接地金属组成。金属微带结构中N个谐振单元交错排列而成交指线结构；N个谐振单元的最左端、最右端分别加载馈电抽头；N个PIN二极管分别焊接在N个谐振单元与接地金属之间。介质基板的N个通孔连接金属微带结构与底板金属。本发明解决滤波器与限幅器级联插入损耗大、结构复杂、体积大，以及单一限幅滤波器要求工作环境严苛等技术问题，本发明可在常温情况下实现，提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN113452393B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110729655.2
申请日：2021-06-29
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本申请涉及一种基于FBAR滤波延时结构的单通道射频抗饱和装置和方法。所述装置包括：功率分配模块、FBAR滤波器延时模块、自适应滤波处理模块、幅相加权模块以及对消模块，其中功率分配模块将单路射频信号转化为多路射频信号，并输入到FBAR滤波器延时模块中得到不同延时的时延射频信号，自适应滤波处理模块对时延射频信号进行自适应滤波，最优权值，幅相处理单元根据最优权值对各路射频信号进行加权，然后再经过反相对消处理，得到饱和干扰抑制后的单路射频信号。本装置通过FBAR滤波延时装置替代繁重的同轴线延时结构和复杂的光纤延时结构，在确保单通道射频抗饱和功能的前提下，极大的减小了延时结构的尺寸。
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公开(公告)号：CN113063994B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110315712.2
申请日：2021-03-24
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01R29/08
摘要： 有源超表面强辐照场性能测试装置及系统，包括标准波导、第一、二高抗阻表面以及第一、二波导同轴转换装置，第一波导同轴转换装置的SMA连接器连接衰减器输入端，衰减器的输出端连接矢量网络分析仪输入端，矢量网络分析仪输出端连接功率放大器输入端，功率放大器输出端连接第二波导同轴转换装置的SMA连接器，将待测试的有源超表面样品通过第一法兰盘夹紧，通过第一、二高阻抗表面在标准波导内部形成均匀平面波辐照场；通过功率放大器放大输入信号，在标准波导内部形成高功率的均匀的准TEM辐照场，通过矢量网络分析仪对样品进行性能测试。本发明能够同时提供均匀平面波和高功率辐照场，同时测试操作简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113452393A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110729655.2
申请日：2021-06-29
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本申请涉及一种基于FBAR滤波延时结构的单通道射频抗饱和装置和方法。所述装置包括：功率分配模块、FBAR滤波器延时模块、自适应滤波处理模块、幅相加权模块以及对消模块，其中功率分配模块将单路射频信号转化为多路射频信号，并输入到FBAR滤波器延时模块中得到不同延时的时延射频信号，自适应滤波处理模块对时延射频信号进行自适应滤波，最优权值，幅相处理单元根据最优权值对各路射频信号进行加权，然后再经过反相对消处理，得到饱和干扰抑制后的单路射频信号。本装置通过FBAR滤波延时装置替代繁重的同轴线延时结构和复杂的光纤延时结构，在确保单通道射频抗饱和功能的前提下，极大的减小了延时结构的尺寸。
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公开(公告)号：CN115101915B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210737753.5
申请日：2022-06-27
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01P11/00 , H01P1/20 , H01P1/203 , G06F30/392 , G06F30/398
摘要： 本申请涉及一种能量高通器件设计方法。所述方法包括：通过在微带线左右两端分别对称地构建两个金属贴片，其中第一金属贴片通过两个并联的、方向相反的二极管与微带线连接，同时通过一个电感与第二金属贴片连接，而第二金属贴片一方面通过一个电容与微带线连接，另一方面通过一个金属化过孔穿过介质基板与背面的金属地连接，构成能量高通器件。本发明仅通过微带线电路与无源器件和二极管的拓扑结构，实现了高性能的能量高通器件，相对传统手段，通过标准化的设计思路有效降低设计难度，小型化、低成本、高性能、适用频段广等优点，拓展了应用场景。
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公开(公告)号：CN114024566B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111386588.5
申请日：2021-11-22
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H04B1/401 , H04B1/719 , H04B7/0413 , H04L25/08
摘要： 本申请涉及一种基于环路移相加权结构的多通道干扰抑制电路，包括多个依次耦合，且首尾连接，形成级联循环结构的干扰抑制单元，各干扰抑制单元设置在阵列天线的各接收阵元与对应射频通道前端之间，各干扰抑制单元均包括正交耦合器和幅相控制电路，且在各幅相控制电路中，根据接收阵元接收到的干扰信号的相位以及同干扰抑制单元的正交耦合器分别对其移相值和衰减值进行设置，使其在干扰信号的角度上形成零陷，以实现在各通道上抑制该角度上的干扰。通过在各接收天线与对应射频通道之间用正交耦合器、幅相控制电路组成干扰抑制电路，使进入阵列天线的空间某一方向的干扰在任何一个端口输出时都恰好满足反相对消的相位条件与幅度条件，实现干扰抑制目的。
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公开(公告)号：CN115662846A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211378948.1
申请日：2022-11-04
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01H59/00
摘要： 本发明公开了一种高隔离度低启动电压串联接触式双臂悬梁MEMS开关，包括衬底、及第一CPW传输线、第二CPW传输线、第三CPW传输线、第一悬臂开关结构与第二悬臂开关结构，第三CPW传输线设在衬底上且位于第一CPW传输线与第二CPW传输线之间的位置；第一悬臂开关结构的一端与第一CPW传输线相连，另一端与第三CPW传输线的一端相连；第二悬臂开关结构的一端与第二CPW传输线相连，另一端与第三CPW传输线的另一端相连。本发明应用于微电子机械领域，通过降低上电极和驱动电极的间隙有效降低驱动电压的同时，还通过串联单悬臂开关两级级联的方式实现了高隔离度，使MEMS开关能更好地支撑射频系统的应用。
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