本申请提供了一种存储装置及其制造方法。所述方法包括：提供相互键合的第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构包括第一衬底、牺牲层和叠层结构，以及贯穿所述叠层结构和所述牺牲层的沟道孔；其中，所述牺牲层设置在所述第一衬底靠近所述第二半导体结构的一侧，所述叠层结构设置在所述牺牲层靠近所述第二半导体结构的一侧，所述沟道孔内形成有沟道层，且所述沟道层延伸到所述牺牲层中；去除所述第一衬底和所述牺牲层，以暴露所述沟道孔的末端；对所述沟道孔内的所述沟道层进行掺杂，以形成掺杂沟道层；所述掺杂沟道层的至少一部分位于所述叠层结构中；形成掺杂半导体层，所述掺杂半导体层覆盖所述沟道孔的末端和所述叠层结构。