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公开(公告)号：CN118969755A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202310546029.9
申请日：2023-05-15
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/34 , H01L21/60
摘要： 本申请实施例公开了一种半导体器件、半导体器件的制作方法及半导体设备，该半导体器件包括第一管芯，该第一管芯包括第一键合层；其中，第一键合层包括第一连接结构以及第一金属环，第一金属环围绕至少一第一连接结构设置。本申请实施例提供的半导体器件通过在第一管芯的第一键合层设置环绕至少一个第一连接结构的第一金属环，可以将第一管芯置于交变磁场中，以对第一连接结构均匀发热并与其它管芯的连接结构键合，而第一管芯的绝缘材料维持较低的温度，以降低半导体器件的第一管芯内部因高温产生应力而导致变形甚至断裂的风险。
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公开(公告)号：CN118843314A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310441563.3
申请日：2023-04-23
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 一种存储器装置可以包括第一区域中的沟道结构。存储器装置还可以包括在邻接第一区域的第二区域中的多个字线腔体结构。多个字线腔体结构可以沿着第一方向延伸。字线腔体结构中的每一个字线腔体结构可以包括沿着垂直于第一方向的第二方向在字线腔体结构的第一侧中的第一触点结构。字线腔体结构中的每一个字线腔体结构还可以包括沿着第二方向在字线腔体结构的第二侧中的第二触点结构。第二侧可以与第一侧相对。字线腔体结构中的每一个字线腔体结构还可以包括缝隙结构。第一触点结构和第二触点结构可以沿着第二方向与缝隙结构分离。
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公开(公告)号：CN118571288A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310186642.4
申请日：2023-02-28
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请实施例公开了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统。所述存储器包括多个存储单元，所述方法包括：对所述存储单元进行第一增量步进脉冲编程；对所述存储单元进行第一编程态验证；对所述存储单元进行第二增量步进脉冲编程；其中，在所述存储单元的编程温度位于预设的第一温度范围内时，所述第二增量步进脉冲编程中的增量电压小于默认增量电压。本申请实施例能够改善存储单元的读取裕度，减少读取错误，且整体性能损失较小。
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公开(公告)号：CN113632169B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202180002494.5
申请日：2021-06-30
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 在某些方面中，一种存储器装置包括存储器单元的阵列以及耦接至所述存储器单元的阵列的多个外围电路。所述外围电路包括具有凹陷栅极晶体管的第一外围电路。所述外围电路还包括具有平坦栅极晶体管的第二外围电路。
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公开(公告)号：CN112219278B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202080002372.1
申请日：2020-09-11
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 提供了三维(3D)NAND存储器件和方法。在一个方面中，一种3DNAND存储器件包括衬底、核心区、隔离区、层堆叠体、沟道结构和隔离结构。每一核心区被隔离区中的一者或多者包围。该层堆叠体形成于每一核心区中并且包括相互交替堆叠的第一电介质层和导体层。沟道结构被形成为穿过该层堆叠体。隔离结构形成在隔离区中的一者或多者当中，并且包括相互交替堆叠的第二电介质层和第三电介质层。
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公开(公告)号：CN112437983B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202080002337.X
申请日：2020-09-04
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 公开了3D存储器件和用于形成3D存储器件的各实施例。在一个实施例中，一种3D存储器件包括：绝缘层；半导体层；包括交错的导电层和介电层的存储堆叠层；源极接触结构，该源极接触结构从绝缘层的相对于半导体层的相对侧垂直地延伸穿过绝缘层以与半导体层接触；以及沟道结构，该沟道结构垂直地延伸穿过存储堆叠层和半导体层进入绝缘层或源极接触结构中。
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公开(公告)号：CN118057927A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202211487356.3
申请日：2022-11-24
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 一种3D存储器器件包括：导体/绝缘体堆叠体，延伸穿过导体/绝缘体堆叠体的沟道孔结构，以及阶梯触点(SCT)。导体/绝缘体堆叠体包括交替堆叠的第一导电层和第一电介质层。SCT包括导电结构，SCT延伸穿过第一电介质层，SCT接触第二电介质层，并且电连接到第一导电层。第二电介质层与第一导电层平行。
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公开(公告)号：CN118019339A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202211557496.3
申请日：2022-12-06
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 公开了一种三维(3D)存储装置，其包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括交错的第一导电层和第一电介质层；以及沿第一方向延伸穿过堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构与沟道结构的底部处的第一半导体层接触。沟道结构包括半导体沟道和位于半导体沟道之上的存储膜。半导体沟道包括有角结构，并且所述半导体沟道在位于所述有角结构下方的所述沟道结构的底部部分处的第一宽度小于所述半导体沟道在位于所述有角结构上方的所述沟道结构的上部部分处的第二宽度。
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公开(公告)号：CN112567515B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201880096618.9
申请日：2018-07-27
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H10B41/41 , H01L21/768 , H10B41/35 , H01L21/762 , H01L23/48
摘要： 本发明涉及一种存储器结构及其形成方法，所述存储器结构包括：第一基底，包括：衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述衬底层内具有掺杂阱；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述掺杂阱边缘，用于隔离所述掺杂阱与周围的衬底层。所述存储器结构能够避免掺杂阱与衬底层之间的漏电，提高性能。
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公开(公告)号：CN113380765B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110635161.8
申请日：2020-01-21
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 公开了3D存储器件和用于形成3D存储器件的互连结构的方法的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括衬底、存储堆叠层、沟道结构、沟道局部触点、缝隙结构和阶梯局部触点。存储堆叠层包括在衬底上方的交错的导电层和介电层。沟道结构垂直地延伸穿过存储堆叠层。沟道局部触点位于沟道结构上方并且与之相接触。缝隙结构垂直地延伸穿过存储堆叠层。阶梯局部触点位于在存储堆叠层的边缘上的阶梯结构处的导电层中的一个导电层上方并且与之相接触。沟道局部触点的上端、缝隙结构的上端和阶梯局部触点的上端是彼此齐平的。
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