发明公开
- 专利标题: 一种氮化铝模板的制备方法
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申请号: CN202110659364.0申请日: 2021-06-15
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公开(公告)号: CN113488564A公开(公告)日: 2021-10-08
- 发明人: 徐广源 , 蒋国文 , 樊怡翔 , 白城镇 , 常煜鹏
- 申请人: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
- 申请人地址: 山西省长治市高新区漳泽新型工业园区
- 专利权人: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
- 当前专利权人: 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 山西省长治市高新区漳泽新型工业园区
- 代理机构: 北京和信华成知识产权代理事务所
- 代理商 郝亮
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00 ; H01L21/324 ; H01L21/02 ; H01L33/12
摘要:
本发明涉及一种氮化铝模板的制备方法,其包括以下步骤:(1)、在衬底的表面上溅射10~1000nm厚的氮化铝层;(2)、将表面溅射有氮化铝层的衬底进行高温退火处理;(3)、将经过高温退火处理后的表面溅射有氮化铝的衬底进行深冷处理;(4)、将深冷处理后的表面溅射有氮化铝的衬底升温至室温;(5)、将升温至室温的表面溅射有氮化铝的衬底进行低温退火处理;(6)、重复循环上述步骤(3)‑步骤(5)两到六次,得到最终的氮化铝模板。其可有效优化AlN和蓝宝石界面的应力状态,改善界面的结合性能,减小AlN的晶格应变,提高用此模板生长不同组分AlGaN的表面形貌和晶体质量。
公开/授权文献
- CN113488564B 一种氮化铝模板的制备方法 公开/授权日:2023-01-03
IPC分类: