本发明提供了一种平面型无寄生电容的有机场效应晶体管的制作方法：1)在玻璃基底表面用钼片掩模，热蒸镀铬作为金与玻璃的黏附层，再蒸镀金电极作为源电极和漏电极，然后利用光刻在金电极上做出预设的栅极图案；2)用湿法刻蚀去除多余的铬和金，将栅极图案中连接着的金电极分隔成源电极和漏电极；3)用掩模版热蒸镀与金相同厚度的铝作为栅电极，然后用氧等离子体处理栅电极，在铝上原位生长氧化铝作为介电层；4)将蒸镀好电极的基片放入预热80℃的DMSO中超声5min两次，再将溶液换为丙酮继续超声5min后换为异丙醇超声5min后用氮气吹干。本发明制作方法制作的晶体管电极处于同一水平高度，该结构能够保证寄生重叠为0，将寄生电容完全消除。