Invention Publication
CN113517254A 半导体装置
审中-实审
- Patent Title: 半导体装置
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Application No.: CN202110143214.4Application Date: 2021-02-02
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Publication No.: CN113517254APublication Date: 2021-10-19
- Inventor: 慎重垣 , 李瑌真 , 李仁荣 , 崔智旻 , 韩正勳
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道水原市
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道水原市
- Agency: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- Agent 刘美华; 尹淑梅
- Priority: 10-2020-0037698 20200327 KR 10-2020-0080050 20200630 KR
- Main IPC: H01L23/498
- IPC: H01L23/498 ; H01L23/14
Abstract:
公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基底；导电垫，位于半导体基底的第一表面上；钝化层，位于半导体基底的第一表面上，钝化层具有暴露导电垫的第一开口；有机介电层，位于钝化层上，有机介电层具有第二开口；以及凸块结构，位于导电垫上并且位于第一开口和第二开口中。有机介电层包括与钝化层的材料不同的材料。第二开口空间地连接到第一开口并且暴露钝化层的部分。凸块结构包括与钝化层和有机介电层接触的柱图案。
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IPC分类:
