公开(公告)号：CN117790490A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311135578.3

申请日：2023-09-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李纳拉 ,  李瑌真 ,  崔智旻 ,  李钟旼

IPC分类号： H01L25/16 ,  H10B80/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

摘要： 公开了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：顺序地堆叠的多个第一半导体芯片，第一半导体芯片中的每个包括在第一基底的第一表面上的电路层、穿过第一基底的硅贯穿过孔和连接到硅贯穿过孔的凸块焊盘；以及第二半导体芯片，在最上面的第一半导体芯片上，第二半导体芯片包括在第二基底的第一表面上的电路层和在第二基底中的热路径过孔。

公开(公告)号：CN116895623A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310286579.1

申请日：2023-03-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑一根 ,  金成珍 ,  金想起 ,  慎重垣 ,  禹盛允 ,  全相炫 ,  崔智旻

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

摘要： 一种半导体器件包括：基板，具有第一表面和第二表面；第一测试焊盘，在基板的第一表面上；第一凸块焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第一测试焊盘间隔开；第二凸块焊盘，在基板的第一表面上并与第一凸块焊盘间隔开；第二测试焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第二凸块焊盘间隔开；第一布线层，在第一方向上延伸并将第一测试焊盘电连接到第一凸块焊盘；第二布线层，在第一方向上延伸，与第一布线层间隔开，并将第二测试焊盘电连接到第二凸块焊盘；以及第一凸块，连接到第一凸块焊盘和第二凸块焊盘中的每个。

公开(公告)号：CN115810591A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210501876.9

申请日：2022-05-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔智旻 ,  李全一 ,  李钟旼 ,  李周益

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

摘要： 提供了半导体芯片的散热垫、包括散热垫的半导体芯片和制造半导体芯片的方法，所述散热垫包括：散热芯，位于半导体基底的下表面处的沟槽中，散热芯被构造为接收从竖直延伸穿过半导体基底的贯穿硅过孔(TSV)产生的热；散热头，连接到散热芯并且从半导体基底的下表面突出，散热头被构造为使散热芯中的热散发；第一绝缘层，位于沟槽的内表面与散热芯之间；以及第二绝缘层，位于第一绝缘层与散热芯之间。

公开(公告)号：CN118198032A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311545238.8

申请日：2023-11-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金炫政 ,  李钟旻 ,  崔智旻

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L25/04

摘要： 公开了一种半导体芯片和一种半导体封装件。该半导体芯片包括：半导体衬底，其包括有源表面和面对有源表面的无源表面；多布线层，其布置在半导体衬底的有源表面上，并且包括具有至少两个层并且包括导电布线和伪布线的布线结构；下保护层，其布置在多布线层的前表面上，并且包括连接到导电布线的导电介质焊盘；多个通孔，其被配置为穿透半导体衬底，并且包括多个电力通孔、多个信号通孔和多个伪通孔；以及多个背侧焊盘，其布置在半导体衬底的无源表面上，并且连接到多个通孔，其中，多个伪通孔连接到布线结构。

公开(公告)号：CN117637699A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310661775.2

申请日：2023-06-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄世现 ,  李钟旻 ,  慎重垣 ,  崔智旻

IPC分类号： H01L23/544

摘要： 提供了一种具有减小的厚度和提高的可靠性的半导体芯片以及包括半导体芯片的半导体封装件。半导体芯片包括半导体衬底、半导体衬底上的集成器件层、集成器件层上的多布线层、以及多布线层上的多个焊盘金属层的焊盘金属层，并且焊盘金属层具有限定于其中的测试焊盘。焊盘金属层在平行于半导体衬底的顶表面的第一方向或者垂直于第一方向的第二方向上延伸。测试焊盘是焊盘金属层的中心部分，并且焊盘金属层的排除测试焊盘的外部分在垂直于半导体衬底的顶表面的第三方向上与布线重叠。

公开(公告)号：CN117476606A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310936474.6

申请日：2023-07-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔智旻 ,  慎重垣 ,  禹盛允 ,  李瑌真 ,  李钟旼 ,  黄世现

IPC分类号： H01L23/544

摘要： 一种半导体器件可以包括基板上的多个芯片区域、在基板上围绕所述多个芯片区域中的每个的至少一个划道、包括在所述多个芯片区域中的多个第一对准键图案和多个第一测试元件组图案、以及包括在所述至少一个划道中的多个第二对准键图案和多个第二测试元件组图案。

公开(公告)号：CN108155189B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN201711247712.3

申请日：2017-12-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李东烈 ,  慎重赞 ,  李东俊 ,  李镐旭 ,  崔智旻 ,  金志永 ,  尹灿植 ,  赵昶贤

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/768

摘要： 一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区和外围电路区的衬底，单元区包括位线结构、位线间隔物和下电极，外围电路区包括第一杂质区至第三杂质区；在外围电路区上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成第一金属层；在第一杂质区与第二杂质区之间在第一金属层中形成第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽设置在第二杂质区与第三杂质区之间并暴露层间绝缘膜；在第一沟槽上形成第一盖图案以在第一沟槽中形成气隙；用第一绝缘材料填充第二沟槽；以及在第一金属层上形成连接到第三杂质区的接触。

公开(公告)号：CN113517254A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110143214.4

申请日：2021-02-02

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 慎重垣 ,  李瑌真 ,  李仁荣 ,  崔智旻 ,  韩正勳

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/14

摘要： 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基底；导电垫，位于半导体基底的第一表面上；钝化层，位于半导体基底的第一表面上，钝化层具有暴露导电垫的第一开口；有机介电层，位于钝化层上，有机介电层具有第二开口；以及凸块结构，位于导电垫上并且位于第一开口和第二开口中。有机介电层包括与钝化层的材料不同的材料。第二开口空间地连接到第一开口并且暴露钝化层的部分。凸块结构包括与钝化层和有机介电层接触的柱图案。

公开(公告)号：CN108231774A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711274103.7

申请日：2017-12-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔智旻 ,  李东烈 ,  李镐旭 ,  金志永 ,  赵昶贤

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L23/147 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/76227 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/108

摘要： 本公开提供了具有沟槽型器件隔离膜的半导体器件。一种半导体器件包括具有半导体层的基板。沟槽形成在半导体层内。填充绝缘膜设置在沟槽内。插入衬层设置在填充绝缘膜内。插入衬层与半导体层间隔开并沿着沟槽的底表面延伸。

公开(公告)号：CN118943118A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410559671.5

申请日：2024-05-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 禹盛允 ,  崔智旻 ,  慎重垣 ,  李瑌真 ,  李钟旼

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L25/18 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

摘要： 一种半导体封装包括：基底芯片，包括在第一水平方向和与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸的顶表面；半导体芯片堆叠，包括在垂直方向上顺序堆叠在基底芯片上并在垂直方向上在相应侧对齐的第一半导体芯片和第二半导体芯片；穿透基底芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第一贯通路；穿透第一半导体芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第二贯通路；穿透第二半导体芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第三贯通路；接触第一贯通路的第一连接焊盘；接触第二贯通路的第二连接焊盘；以及接触第三贯通路的第三连接焊盘。