本发明属于HEMT器件的技术领域，具体涉及一种可调节的复合凹槽栅E‑HEMT器件及其制备方法。所述E‑HEMT器件包括如下依次设置的组件：衬底、AlN缓冲层、AlGaN/GaN应力释放层、高阻GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层以及AlxInyGa1‑x‑yN势垒层，还包括设置于势垒层上的复合凹槽栅极、源极、漏极以及钝化层，复合凹槽栅极包括P‑GaN层、栅介质层以及栅金属层组成，其位于势垒层的凹槽中，凹槽的一侧生长P‑GaN层，另一侧与P‑GaN层上方之间依次外延生长栅介质层以及栅金属层填满凹槽，形成复合凹槽栅极，形成高阈值电压，较高饱和电流、低栅极漏电流、大栅压摆幅的E‑HEMT器件。