本申请提供一种存储器及其制作方法，涉及存储技术领域，用于解决存储器中的衬底损耗大的技术问题。该存储器的制作方法包括：提供衬底，衬底包括核心区和外围区；核心区包括多个有源区以及隔离多个有源区的浅沟槽隔离区；在各有源区和外围区中均形成多个字线沟槽；在各字线沟槽内形成导电层，外围区的导电层的上表面至衬底的上表面的距离小于核心区的导电层的上表面至衬底的上表面的距离；在导电层上形成多晶硅层；去除核心区的部分多晶硅层以及外围区的全部多晶硅层；在核心区的字线沟槽中以及外围区的字线沟槽中形成阻挡层。通过减小外围区暴露导电层的接触孔深度，避免形成接触孔时造成的衬底损耗，从而改善存储器中晶体管等器件的性能。