发明公开
- 专利标题: 半导体发光装置及半导体发光模块
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申请号: CN202080019676.9申请日: 2020-03-02
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公开(公告)号: CN113544235A公开(公告)日: 2021-10-22
- 发明人: 小田原正树 , 池田贤司 , 锦昌太郎 , 东山鼓 , 新野和久
- 申请人: 斯坦雷电气株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 斯坦雷电气株式会社
- 当前专利权人: 斯坦雷电气株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 褚瑶杨; 沈娥
- 优先权: 2019-050632 20190319 JP
- 国际申请: PCT/JP2020/008761 2020.03.02
- 国际公布: WO2020/189244 JA 2020.09.24
- 进入国家日期: 2021-09-08
- 主分类号: C09K11/08
- IPC分类号: C09K11/08 ; C09K11/64 ; C09K11/80 ; H01L33/50
摘要:
本发明提供一种半导体发光装置及半导体发光模块。其在外界光环境中也能放射出能被清晰地视觉辨认到金色的金色光、或者在向物体照射光时能从该物体反射出能被清晰地视觉辨认为金色的金色光。该半导体发光装置具有半导体发光元件和荧光体层,该半导体发光元件发出峰值波长在440~450nm范围内的激励光,该荧光体层设置在半导体发光元件上并含有第一荧光体和第二荧光体,第一荧光体和第二荧光体受来自所述半导体发光元件的激励光激励而分别发出第一荧光和第二荧光。第一荧光在540~575nm范围内具有峰值波长,第二荧光在590~605nm的范围内具有峰值波长,在从所述荧光体层放射出的半导体发光元件的放射光、来自第一荧光体的放射光及第二荧光体的放射光的混色光中,半导体发光元件的放射光的强度是来自第一荧光体及第二荧光体的放射光的合成光强度的1/10~1/60。
公开/授权文献
- CN113544235B 半导体发光装置及半导体发光模块 公开/授权日:2023-05-26