半导体装置及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112117360A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202010522621.1

    申请日:2020-06-10

    发明人: 小田原正树

    IPC分类号: H01L33/62 H01L33/52

    摘要: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,是使用将未固化的树脂或接合剂涂布在基板上使其扩展并使其固化的工序制造的半导体装置,具备将未固化的树脂或接合剂停留在所希望的区域的结构,并且小型化。具有搭载有半导体元件的基板和形成在基板上的金属图案。金属图案具备在基板上分离设置的第1金属图案和第2金属图案、以及配置在第1金属图案和第2金属图案之间并在厚度方向上贯通基板的贯通电极。

    发光装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102299236B

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201110170274.1

    申请日:2011-06-22

    发明人: 小田原正树

    IPC分类号: H01L33/48

    摘要: 本发明提供一种薄型且指向特性不偏向上侧的侧发光型发光装置。在基板(1)的下表面搭载发光元件,将衬垫(4、5)固定于两肋。由密封部件(11)将基板(1)的下表面的未配置有衬垫的区域密封。在衬垫(4、5)的下表面配置有外部电极层(6、7),在密封部件(11)的下表面配置有对发光元件的光进行反射的光反射层。当把密封部件(11)的下表面与衬垫(4、5)的下表面配置于同一面上的情况下,至少可以使侧发光型发光装置变薄相当于外部电极层(5、6)的厚度的量。另外,在使密封部件(11)的下表面比衬垫(4、5)的下表面向下侧突出的构成的情况下,能够将光反射层(8)插入到安装电极(30)之间的空间,能进一步薄型化。

    半导体发光装置及半导体发光模块

    公开(公告)号:CN113544235B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202080019676.9

    申请日:2020-03-02

    摘要: 本发明提供一种半导体发光装置及半导体发光模块。其在外界光环境中也能放射出能被清晰地视觉辨认到金色的金色光、或者在向物体照射光时能从该物体反射出能被清晰地视觉辨认为金色的金色光。该半导体发光装置具有半导体发光元件和荧光体层,该半导体发光元件发出峰值波长在440~450nm范围内的激励光,该荧光体层设置在半导体发光元件上并含有第一荧光体和第二荧光体,第一荧光体和第二荧光体受来自所述半导体发光元件的激励光激励而分别发出第一荧光和第二荧光。第一荧光在540~575nm范围内具有峰值波长,第二荧光在590~605nm的范围内具有峰值波长,在从所述荧光体层放射出的半导体发光元件的放射光、来自第一荧光体的放射光及第二荧光体的放射光的混色光中,半导体发光元件的放射光的强度是来自第一荧光体及第二荧光体的放射光的合成光强度的1/10~1/60。

    半导体发光装置及半导体发光模块

    公开(公告)号:CN113544235A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202080019676.9

    申请日:2020-03-02

    摘要: 本发明提供一种半导体发光装置及半导体发光模块。其在外界光环境中也能放射出能被清晰地视觉辨认到金色的金色光、或者在向物体照射光时能从该物体反射出能被清晰地视觉辨认为金色的金色光。该半导体发光装置具有半导体发光元件和荧光体层,该半导体发光元件发出峰值波长在440~450nm范围内的激励光,该荧光体层设置在半导体发光元件上并含有第一荧光体和第二荧光体,第一荧光体和第二荧光体受来自所述半导体发光元件的激励光激励而分别发出第一荧光和第二荧光。第一荧光在540~575nm范围内具有峰值波长,第二荧光在590~605nm的范围内具有峰值波长,在从所述荧光体层放射出的半导体发光元件的放射光、来自第一荧光体的放射光及第二荧光体的放射光的混色光中,半导体发光元件的放射光的强度是来自第一荧光体及第二荧光体的放射光的合成光强度的1/10~1/60。

    半导体发光装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101471415B

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN200810185048.9

    申请日:2008-12-26

    IPC分类号: H01L33/00

    CPC分类号: H01L2924/0002 H01L2924/00

    摘要: 本发明提供一种半导体发光装置,具体地说,提供一种对安装的电路基板的软钎焊焊接的焊接强度强、而且焊接强度的增强能范围广泛地应对较大尺寸到小型尺寸、并且能以低成本制造的边视型LED灯具。在边视型LED灯具(1)的LED元件安装用基板(2)上设有电极部(4d)和电极部(5d),电极部(4d)和电极部(5d)从设在绝缘基板(6)的两端部的电极(4)和电极(5)的各方朝向相互对置的方向延伸到绝缘基板(6)中。在将边视型LED灯具(1)安装在电路基板(7)上时,电极部(4d)的端面(4e)和电极部(5d)的端面(5e)有助于增强软钎焊焊接的焊接强度。

    发光装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102299236A

    公开(公告)日:2011-12-28

    申请号:CN201110170274.1

    申请日:2011-06-22

    发明人: 小田原正树

    IPC分类号: H01L33/48

    摘要: 本发明提供一种薄型且指向特性不偏向上侧的侧发光型发光装置。在基板(1)的下表面搭载发光元件,将衬垫(4、5)固定于两肋。由密封部件(11)将基板(1)的下表面的未配置有衬垫的区域密封。在衬垫(4、5)的下表面配置有外部电极层(6、7),在密封部件(11)的下表面配置有对发光元件的光进行反射的光反射层。当把密封部件(11)的下表面与衬垫(4、5)的下表面配置于同一面上的情况下,至少可以使侧发光型发光装置变薄相当于外部电极层(5、6)的厚度的量。另外,在使密封部件(11)的下表面比衬垫(4、5)的下表面向下侧突出的构成的情况下,能够将光反射层(8)插入到安装电极(30)之间的空间,能进一步薄型化。

    发光装置及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115241344A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210425046.2

    申请日:2022-04-22

    发明人: 小田原正树

    摘要: 根据本发明涉及发光装置及其制造方法。该发光装置包括:具有平板状的树脂基板;由金属制成的第一布线电极;由金属制成的第二布线电极;发光元件;以及树脂体。发光元件安装到所述第一布线电极和所述第二布线电极的位于所述树脂基板的所述第一主表面侧的所述电极部分上。该树脂体具有光反射特性,覆盖所述树脂基板的所述第一主表面,覆盖所述第一布线电极和所述第二布线电极的各自所述布线部分,并在第一主表面上形成围绕所述发光元件的框架体,并覆盖在所述树脂基板的所述第二主表面上从所述第一布线电极和所述第二布线电极暴露的区域。

    半导体发光装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101471415A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200810185048.9

    申请日:2008-12-26

    IPC分类号: H01L33/00

    CPC分类号: H01L2924/0002 H01L2924/00

    摘要: 本发明提供一种半导体发光装置,具体地说,提供一种对安装的电路基板的软钎焊焊接的焊接强度强、而且焊接强度的增强能范围广泛地应对较大尺寸到小型尺寸、并且能以低成本制造的边视型LED灯具。在边视型LED灯具(1)的LED元件安装用基板(2)上设有电极部(4d)和电极部(5d),电极部(4d)和电极部(5d)从设在绝缘基板(6)的两端部的电极(4)和电极(5)的各方朝向相互对置的方向延伸到绝缘基板(6)中。在将边视型LED灯具(1)安装在电路基板(7)上时,电极部(4d)的端面(4e)和电极部(5d)的端面(5e)有助于增强软钎焊焊接的焊接强度。