含钼膜在ALD及CVD工艺中利用含钼前体的反应而沉积于半导体衬底上。在一些实施方案中，前体可用于沉积具有低掺入量的碳和氮的钼金属膜。在一些实施方案中，膜在暴露的含硅层存在下利用无氟前体来沉积，但不使用蚀刻停止层。在一些实施方案中，该前体为包括钼、与钼形成键的至少一种卤素以及至少一种有机配体的化合物，该有机配体包括选自由N、O和S所组成的群组的元素，其与钼形成键。在另一方面，该前体为具有至少一种含硫配体的钼化合物，且优选不具有钼‑碳键。