公开(公告)号：CN116134380A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202180060331.2

申请日：2021-07-16

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 埃里克·卡尔文·汉森 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  吴呈昊 ,  林庆煌 ,  基莱·乔丹·布莱克内 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  希瓦南达·克里希南·卡纳卡萨巴帕蒂 ,  萨曼塔·S·H·坦 ,  理查德·怀斯 ,  潘阳 ,  李英熙 ,  卡蒂·林恩·纳尔迪 ,  凯文·利·顾 ,  鲍里斯·沃洛斯基

IPC分类号： G03F7/004

摘要： 本发明涉及用金属前体与有机前体形成的膜，以及形成并采用这种膜的方法。该膜可用作可光图案化膜或辐射敏感膜。在特定的实施方案中，该膜包括含金属层与有机层的交替层。在其他实施方案中，该膜包括沉积金属与有机成分的基质。

公开(公告)号：CN113557320B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202080020646.X

申请日：2020-03-06

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 基莱·乔丹·布莱克内

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

摘要： 含钼膜在ALD及CVD工艺中利用含钼前体的反应而沉积于半导体衬底上。在一些实施方案中，前体可用于沉积具有低掺入量的碳和氮的钼金属膜。在一些实施方案中，膜在暴露的含硅层存在下利用无氟前体来沉积，但不使用蚀刻停止层。在一些实施方案中，该前体为包括钼、与钼形成键的至少一种卤素以及至少一种有机配体的化合物，该有机配体包括选自由N、O和S所组成的群组的元素，其与钼形成键。在另一方面，该前体为具有至少一种含硫配体的钼化合物，且优选不具有钼‑碳键。

公开(公告)号：CN114269970A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080059499.7

申请日：2020-08-10

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 基莱·乔丹·布莱克内 ,  照健·史蒂文·黎 ,  托马斯·M·普拉特 ,  埃里克·H·伦茨 ,  詹森·史蒂文斯

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/30 ,  C23C16/38 ,  C23C16/42 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

摘要： 使用不含卤化物的金属有机前体将基本上不含碳的含钼和含钨膜沉积在半导体衬底上。前体不包括金属‑碳键、羰基配体，并且优选不包括β‑氢原子。沉积碳含量小于约5％原子，例如小于约3％原子的含金属膜，例如氮化钼、氧氮化钼、硅化钼和硼化钼。在一些实施方案中，通过使含金属前体与在衬底表面上的反应物在不存在等离子体的情况下(例如使用几个ALD循环)反应来沉积膜。在一些实施方案中，然后用等离子体中的第二反应物加工所形成的膜以改变其性质(例如，使膜致密，降低膜的电阻率，或增加其功函数)。该膜可用作pMOS设备中的衬里、扩散阻挡层和电极材料。

公开(公告)号：CN115769364A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180047219.5

申请日：2021-06-25

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 李·J·布罗根 ,  帕特里克·范克利蒙布特 ,  马修·马丁·休伊 ,  基莱·乔丹·布莱克内 ,  刘艺华

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本文中的多种实施方案涉及在衬底上形成互连件结构或其部分的方法、装置和系统。在一示例中，所述方法包括在处理室中接收所述衬底，所述衬底具有电介质材料，所述电介质材料被暴露于凹陷特征内，而凹陷特征形成在所述电介质材料中；将所述衬底暴露于等离子体，以修改所述电介质材料的顶表面；在所述电介质材料的所述经修改的顶表面上形成金属氧化物阻挡物层，其中所述金属氧化物阻挡物层通过原子层沉积和/或化学气相沉积而形成。在某些实现方案中，可采取一个或更多额外步骤以改善处理结果，例如促进相关层的成核性和/或粘附性。

公开(公告)号：CN113557320A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202080020646.X

申请日：2020-03-06

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 基莱·乔丹·布莱克内

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

摘要： 含钼膜在ALD及CVD工艺中利用含钼前体的反应而沉积于半导体衬底上。在一些实施方案中，前体可用于沉积具有低掺入量的碳和氮的钼金属膜。在一些实施方案中，膜在暴露的含硅层存在下利用无氟前体来沉积，但不使用蚀刻停止层。在一些实施方案中，该前体为包括钼、与钼形成键的至少一种卤素以及至少一种有机配体的化合物，该有机配体包括选自由N、O和S所组成的群组的元素，其与钼形成键。在另一方面，该前体为具有至少一种含硫配体的钼化合物，且优选不具有钼‑碳键。

公开(公告)号：CN118434908A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280083484.3

申请日：2022-11-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 大卫·约瑟夫·曼迪亚 ,  伊时塔克·卡里姆 ,  基莱·乔丹·布莱克内 ,  马修·伯特伦·爱德华·格里菲思 ,  照健·史蒂文·黎

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

摘要： 在通过添加含卤素化合物(如烷基卤化物)而受到调节的沉积处理中，将金属膜如钼膜沉积至具有一或多个凹陷特征的半导体衬底中。在某些实施方案中，在衬底与含金属前体和还原剂接触之前，以含卤素化合物预处理衬底。在某些实施方案中，进行预处理以使含卤素化合物修饰衬底场区域中的表面及凹陷特征的开口附近的表面的程度大于修饰凹陷特征的底部的程度，其中修饰衬底能抑制金属沉积。因此，可获得具有改进的台阶覆盖的金属沉积。在某些实施方案中，使用通过含卤素化合物调节的沉积以在凹陷特征中达到由底部向上的金属生长。

公开(公告)号：CN118402040A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280083468.4

申请日：2022-12-02

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 大卫·约瑟夫·曼迪亚 ,  基莱·乔丹·布莱克内 ,  照健·史蒂文·黎

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455

摘要： 含钼膜在介于约100℃与约500℃之间(例如，介于约200℃与约450℃之间)的相对低温下沉积在半导体衬底上。例如，钼金属可以在此温度下，通过基本无选择性的方式沉积在具有暴露金属和暴露电介质的衬底上。在一实现方案中，提供的是具有凹陷特征的衬底，其中该凹陷特征在侧壁上具有暴露电介质，而在底部上具有暴露金属。该衬底被暴露于含钼前体、还原剂及含硅反应试剂，从而还原该含钼前体，并且形成含钼层，其中该含钼层包括金属钼。使用含硅反应物会造成钼沉积的金属上方/电介质上方的选择性降低。

公开(公告)号：CN116194838A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180060446.1

申请日：2021-07-16

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 埃里克·卡尔文·汉森 ,  蒂莫西·威廉·威德曼 ,  吴呈昊 ,  林庆煌 ,  基莱·乔丹·布莱克内

IPC分类号： G03F7/004

摘要： 本公开内容涉及利用前体与有机共反应物所形成的膜、以及用于形成和利用这种膜的方法。可将所述膜用作可光图案化膜或辐射敏感膜。在特定实施方案中，可通过在沉积期间使辐射敏感金属元素与辐射敏感有机基团的来源解耦，调整在所述膜中的碳含量。在非限制性实施方案中，辐射可包括极紫外线(EUV)或深紫外线(DUV)辐射。

公开(公告)号：CN115769363A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180046987.9

申请日：2021-08-10

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 基莱·乔丹·布莱克内 ,  耶兹迪·多尔迪

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 集成电路(IC)中的导电结构包括填充有金属的在介电层中的凹陷特征。所述凹陷特征包括保形的、自形成的扩散阻挡层和晶种层，以限制金属氧化成将扩散通过电介质的离子。自形成的扩散阻挡层和晶种层也可形成能够通过酸性溶液去除的表面氧化物层。