本发明涉及一种β‑Ga2O3薄膜的生长方法，包括：选取蓝宝石衬底；在T1温度条件下，在所述蓝宝石衬底上生长(Alx1Ga1‑x1)2O3缓冲层；在T2温度条件下，在(Alx1Ga1‑x1)2O3缓冲层上生长(Alx2Ga1‑x2)2O3缓冲层；在T3温度条件下，在(Alx2Ga1‑x2)2O3缓冲层上生长(Alx3Ga1‑x3)2O3缓冲层，x1＞x2＞x3；在T4温度条件下，在(Alx3Ga1‑x3)2O3缓冲层上生长β‑Ga2O3薄膜，T1＜T2＜T3＜T4。本发明在β‑Ga2O3薄膜与蓝宝石衬底之间引入了变温生长的(Al1‑xGax)2O3缓冲层，(Al1‑xGax)2O3缓冲层的引入不仅实现了衬底与薄膜之间的元素组分均匀地过渡，而且实现了晶格结构的过渡，从而减小了晶格失配引发的位错。根据各层缓冲层之间元素组分的不同，采用了不同的生长温度从而提高了缓冲层的生长质量，这就增强了β‑Ga2O3薄膜的二维生长，降低了薄膜的表面粗糙度。