发明授权
- 专利标题： 一种反常霍尔元件及其制备方法
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申请号： CN202111109797.5申请日： 2021-09-23
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公开(公告)号： CN113571632B公开(公告)日： 2021-12-10
- 发明人: 程雅慧 , 李岩 , 张瑞 , 陈菲菲 , 刁凌雪 , 刘晖
- 申请人： 南开大学
- 申请人地址： 天津市津南区海河教育园南开大学
- 专利权人： 南开大学
- 当前专利权人： 南开大学
- 当前专利权人地址： 天津市津南区海河教育园南开大学
- 代理机构： 天津翰林知识产权代理事务所
- 代理商 付长杰
- 主分类号： H01L43/06
- IPC分类号： H01L43/06 ; H01L43/10 ; H01L43/04 ; H01L43/14 ; C30B23/04 ; C30B29/52 ; C23C14/04 ; C23C14/16 ; C23C14/35
摘要：
本发明提供了一种反常霍尔元件及其制备方法，以在单晶MgO（100）上外延生长的Fe、Cr共掺杂的单晶Ni薄膜作为活性层材料，活性层形状为“十”字形，薄膜厚度为2nm~30 nm,采用离子束沉积法生长。本发明的微型反常霍尔元件具有较小的体积，较大的反常霍尔电阻率，较小的电阻率和功耗，较宽的工作温度范围，在磁电信号转换等领域有广泛的应用。
公开/授权文献
- CN113571632A 一种反常霍尔元件及其制备方法 公开/授权日：2021-10-29
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